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• 8.3.3 基板扇出技術
• 8.3.2 基板埋入技術
• 8.3.1 細線路基板技術
• 8.3 基板及埋入封裝技術
• 8.2.6 異質集成扇出型封裝技術

• 參考文獻 更新時間：2024-03-22 14:16:44
• 8.3.3 基板扇出技術
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• 8.3.1 細線路基板技術
• 8.3 基板及埋入封裝技術
• 8.2.6 異質集成扇出型封裝技術
• 8.2.5 Si基埋入式扇出型封裝技術
• 8.2.4 集成晶圓級扇出型封裝技術
• 8.2.3 嵌入式晶圓級球柵陣列封裝技術
• 8.2.2 晶圓級扇出型封裝的技術挑戰
• 8.2.1 晶圓級扇出型封裝技術的形成與發展
• 8.2 晶圓級扇出型封裝技術
• 8.1.5 SoIC技術
• 8.1.4 Foveros封裝技術
• 8.1.3 CoWoS技術
• 8.1.2 有源TSV轉接板技術
• 8.1.1 2.5D TSV轉接板制造技術
• 8.1 Si基轉接板及2.5D/3D封裝技術
• 第8章 三維封裝技術
• 參考文獻
• 7.4 新型三維集成系統
• 7.3.3 片上異質集成技術
• 7.3.2 片上邏輯與存儲器件
• 7.3.1 片上異質材料沉積工藝
• 7.3 三維單片異質集成技術
• 7.2.3 三維電路設計與層間布局技術
• 7.2.2 片上低溫CMOS集成與熱預算管理技術
• 7.2.1 片上晶圓鍵合工藝
• 7.2 三維單片同質集成技術
• 7.1.3 三維單片集成的技術挑戰
• 7.1.2 三維單片集成的發展歷程
• 7.1.1 三維單片集成的概念
• 7.1 三維單片集成
• 第7章 三維單片集成技術
• 參考文獻
• 6.4.3 三維DRAM的技術挑戰與展望
• 6.4.2 三維DRAM的發展現狀
• 6.4.1 DRAM的器件結構及工作原理
• 6.4 三維DRAM集成技術
• 6.3.3 三維PCRAM的技術挑戰與展望
• 6.3.2 三維PCRAM的發展現狀
• 6.3.1 三維PCRAM的器件結構及工作原理
• 6.3 三維PCRAM集成技術
• 6.2.3 三維MRAM的技術挑戰與展望
• 6.2.2 三維MRAM的發展現狀
• 6.2.1 MRAM的器件結構及工作原理
• 6.2 三維MRAM集成技術
• 6.1.3 三維RRAM的技術挑戰與展望
• 6.1.2 三維RRAM的發展現狀
• 6.1.1 RRAM的器件結構及工作原理
• 6.1 三維RRAM集成技術
• 第6章 三維新型存儲技術
• 參考文獻
• 5.4.2 國內三維NAND存儲器的研究現狀
• 5.4.1 國外三維NAND存儲器的研究現狀
• 5.4 三維NAND國內外進展
• 5.3.2 三維NAND可靠性
• 5.3.1 三維NAND工作特性
• 5.3 三維NAND工作特性及可靠性
• 5.2.5 三維NAND集成工藝
• 5.2.4 接觸孔模塊
• 5.2.3 隔離模塊
• 5.2.2 溝道孔模塊
• 5.2.1 層膜沉積和臺階工藝
• 5.2 集成工藝及關鍵技術模塊
• 5.1.3 三維NAND閃存結構設計
• 5.1.2 平面NAND閃存器件發展的挑戰
• 5.1.1 NAND閃存器件原理
• 5.1 三維NAND閃存器件及結構
• 第5章 三維NAND閃存技術
• 參考文獻
• 4.3.5 垂直納米環柵器件集成工藝
• 4.3.4 高遷移率溝道納米環柵器件集成工藝
• 4.3.3 多閾值調控
• 4.3.2 工藝波動影響
• 4.3.1 水平堆疊納米環柵器件集成工藝
• 4.3 納米環柵器件集成工藝
• 4.2.6 自對準柵極技術
• 4.2.5 源漏接觸技術
• 4.2.4 溝道應變技術
• 4.2.3 溝道釋放技術
• 4.2.2 內側墻技術
• 4.2.1 多周期疊層外延技術
• 4.2 納米環柵器件關鍵技術模塊
• 4.1.2 其他納米環柵器件
• 4.1.1 水平堆疊納米環柵器件
• 4.1 納米環柵器件
• 第4章 納米環柵器件技術
• 參考文獻
• 3.4.2 S-FinFET器件
• 3.4.1 體硅介質隔離FinFET器件
• 3.4 新型FinFET器件
• 3.3.2 特性優化技術
• 3.3.1 工藝集成與器件特性
• 3.3 集成工藝與特性優化
• 3.2.6 低阻接觸技術
• 3.2.5 三維高κ金屬柵技術
• 3.2.4 外延與溝道應變工程
• 3.2.3 三維柵極與側墻結構
• 3.2.2 淺槽隔離
• 3.2.1 體硅Fin制備工藝
• 3.2 三維FinFET關鍵技術模塊
• 3.1.2 結構設計與工藝仿真
• 3.1.1 器件原理
• 3.1 三維FinFET器件
• 第3章 三維FinFET器件技術
• 參考文獻
• 2.7.3 化學機械平坦化工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.7.2 化學機械平坦化工藝在三維器件集成中的應用
• 2.7.1 化學機械平坦化工藝原理
• 2.7 三維器件化學機械平坦化工藝
• 2.6.3 清洗工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.6.2 清洗工藝在三維器件集成中的應用
• 2.6.1 清洗及濕法刻蝕工藝原理
• 2.6 三維器件清洗工藝
• 2.5.3 離子注入與熱退火工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.5.2 離子注入與熱退火工藝在三維器件集成中的應用
• 2.5.1 離子注入與熱退火原理
• 2.5 三維器件離子注入與熱退火工藝
• 2.4.3 刻蝕工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.4.2 刻蝕工藝在三維器件集成中的應用
• 2.4.1 刻蝕工藝原理
• 2.4 三維器件刻蝕工藝
• 2.3.3 薄膜工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.3.2 薄膜工藝在三維器件集成中的應用
• 2.3.1 薄膜工藝種類及原理
• 2.3 三維器件薄膜工藝
• 2.2.3 光刻工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.2.2 先進光刻工藝在三維器件集成中的應用
• 2.2.1 光刻工藝原理
• 2.2 三維器件光刻工藝
• 2.1 三維器件模型
• 第2章 三維集成電路制造基礎
• 參考文獻
• 1.4 閱讀指引
• 1.3 三維集成技術面臨的挑戰
• 1.2.4 三維封裝技術
• 1.2.3 新型三維存儲器件
• 1.2.2 新型三維邏輯器件
• 1.2.1 先進制造技術
• 1.2 三維集成技術發展趨勢
• 1.1.4 技術代演化
• 1.1.3 摩爾定律和PPAC
• 1.1.2 集成電路
• 1.1.1 晶體管的發明
• 1.1 集成電路發展歷程
• 第1章 緒論
• 作者簡介
• 前言
• “集成電路系列叢書”主編序言
• “集成電路系列叢書·集成電路制造”編委會
• 出版委員會
• 編委會秘書處
• “集成電路系列叢書”編委會
• 內容簡介
• 版權信息
• 封面

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• 編委會秘書處
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• “集成電路系列叢書·集成電路制造”編委會
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• 作者簡介
• 第1章 緒論
• 1.1 集成電路發展歷程
• 1.1.1 晶體管的發明
• 1.1.2 集成電路
• 1.1.3 摩爾定律和PPAC
• 1.1.4 技術代演化
• 1.2 三維集成技術發展趨勢
• 1.2.1 先進制造技術
• 1.2.2 新型三維邏輯器件
• 1.2.3 新型三維存儲器件
• 1.2.4 三維封裝技術
• 1.3 三維集成技術面臨的挑戰
• 1.4 閱讀指引
• 參考文獻
• 第2章 三維集成電路制造基礎
• 2.1 三維器件模型
• 2.2 三維器件光刻工藝
• 2.2.1 光刻工藝原理
• 2.2.2 先進光刻工藝在三維器件集成中的應用
• 2.2.3 光刻工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.3 三維器件薄膜工藝
• 2.3.1 薄膜工藝種類及原理
• 2.3.2 薄膜工藝在三維器件集成中的應用
• 2.3.3 薄膜工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.4 三維器件刻蝕工藝
• 2.4.1 刻蝕工藝原理
• 2.4.2 刻蝕工藝在三維器件集成中的應用
• 2.4.3 刻蝕工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.5 三維器件離子注入與熱退火工藝
• 2.5.1 離子注入與熱退火原理
• 2.5.2 離子注入與熱退火工藝在三維器件集成中的應用
• 2.5.3 離子注入與熱退火工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.6 三維器件清洗工藝
• 2.6.1 清洗及濕法刻蝕工藝原理
• 2.6.2 清洗工藝在三維器件集成中的應用
• 2.6.3 清洗工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 2.7 三維器件化學機械平坦化工藝
• 2.7.1 化學機械平坦化工藝原理
• 2.7.2 化學機械平坦化工藝在三維器件集成中的應用
• 2.7.3 化學機械平坦化工藝在三維器件集成中面臨的挑戰
• 參考文獻
• 第3章 三維FinFET器件技術
• 3.1 三維FinFET器件
• 3.1.1 器件原理
• 3.1.2 結構設計與工藝仿真
• 3.2 三維FinFET關鍵技術模塊
• 3.2.1 體硅Fin制備工藝
• 3.2.2 淺槽隔離
• 3.2.3 三維柵極與側墻結構
• 3.2.4 外延與溝道應變工程
• 3.2.5 三維高κ金屬柵技術
• 3.2.6 低阻接觸技術
• 3.3 集成工藝與特性優化
• 3.3.1 工藝集成與器件特性
• 3.3.2 特性優化技術
• 3.4 新型FinFET器件
• 3.4.1 體硅介質隔離FinFET器件
• 3.4.2 S-FinFET器件
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• 第4章 納米環柵器件技術
• 4.1 納米環柵器件
• 4.1.1 水平堆疊納米環柵器件
• 4.1.2 其他納米環柵器件
• 4.2 納米環柵器件關鍵技術模塊
• 4.2.1 多周期疊層外延技術
• 4.2.2 內側墻技術
• 4.2.3 溝道釋放技術
• 4.2.4 溝道應變技術
• 4.2.5 源漏接觸技術
• 4.2.6 自對準柵極技術
• 4.3 納米環柵器件集成工藝
• 4.3.1 水平堆疊納米環柵器件集成工藝
• 4.3.2 工藝波動影響
• 4.3.3 多閾值調控
• 4.3.4 高遷移率溝道納米環柵器件集成工藝
• 4.3.5 垂直納米環柵器件集成工藝
• 參考文獻
• 第5章 三維NAND閃存技術
• 5.1 三維NAND閃存器件及結構
• 5.1.1 NAND閃存器件原理
• 5.1.2 平面NAND閃存器件發展的挑戰
• 5.1.3 三維NAND閃存結構設計
• 5.2 集成工藝及關鍵技術模塊
• 5.2.1 層膜沉積和臺階工藝
• 5.2.2 溝道孔模塊
• 5.2.3 隔離模塊
• 5.2.4 接觸孔模塊
• 5.2.5 三維NAND集成工藝
• 5.3 三維NAND工作特性及可靠性
• 5.3.1 三維NAND工作特性
• 5.3.2 三維NAND可靠性
• 5.4 三維NAND國內外進展
• 5.4.1 國外三維NAND存儲器的研究現狀
• 5.4.2 國內三維NAND存儲器的研究現狀
• 參考文獻
• 第6章 三維新型存儲技術
• 6.1 三維RRAM集成技術
• 6.1.1 RRAM的器件結構及工作原理
• 6.1.2 三維RRAM的發展現狀
• 6.1.3 三維RRAM的技術挑戰與展望
• 6.2 三維MRAM集成技術
• 6.2.1 MRAM的器件結構及工作原理
• 6.2.2 三維MRAM的發展現狀
• 6.2.3 三維MRAM的技術挑戰與展望
• 6.3 三維PCRAM集成技術
• 6.3.1 三維PCRAM的器件結構及工作原理
• 6.3.2 三維PCRAM的發展現狀
• 6.3.3 三維PCRAM的技術挑戰與展望
• 6.4 三維DRAM集成技術
• 6.4.1 DRAM的器件結構及工作原理
• 6.4.2 三維DRAM的發展現狀
• 6.4.3 三維DRAM的技術挑戰與展望
• 參考文獻
• 第7章 三維單片集成技術
• 7.1 三維單片集成
• 7.1.1 三維單片集成的概念
• 7.1.2 三維單片集成的發展歷程
• 7.1.3 三維單片集成的技術挑戰
• 7.2 三維單片同質集成技術
• 7.2.1 片上晶圓鍵合工藝
• 7.2.2 片上低溫CMOS集成與熱預算管理技術
• 7.2.3 三維電路設計與層間布局技術
• 7.3 三維單片異質集成技術
• 7.3.1 片上異質材料沉積工藝
• 7.3.2 片上邏輯與存儲器件
• 7.3.3 片上異質集成技術
• 7.4 新型三維集成系統
• 參考文獻
• 第8章 三維封裝技術
• 8.1 Si基轉接板及2.5D/3D封裝技術
• 8.1.1 2.5D TSV轉接板制造技術
• 8.1.2 有源TSV轉接板技術
• 8.1.3 CoWoS技術
• 8.1.4 Foveros封裝技術
• 8.1.5 SoIC技術
• 8.2 晶圓級扇出型封裝技術
• 8.2.1 晶圓級扇出型封裝技術的形成與發展
• 8.2.2 晶圓級扇出型封裝的技術挑戰
• 8.2.3 嵌入式晶圓級球柵陣列封裝技術
• 8.2.4 集成晶圓級扇出型封裝技術
• 8.2.5 Si基埋入式扇出型封裝技術
• 8.2.6 異質集成扇出型封裝技術
• 8.3 基板及埋入封裝技術
• 8.3.1 細線路基板技術
• 8.3.2 基板埋入技術
• 8.3.3 基板扇出技術
• 參考文獻 更新時間：2024-03-22 14:16:44