1.2.3 新型三維存儲器件

在集成電路存儲器方面，主流的動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）、非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）將通過器件微縮、垂直層數(shù)增加等技術(shù)，進一步提升存儲容量。同時，為了避免由于物理尺寸減小引起的電荷隨機起伏，基于非電荷控制的新興存儲技術(shù)將快速發(fā)展。其中，鐵電存儲器（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）具有高速、低功耗、高可靠性的優(yōu)點，有望在低功耗、人工智能等領(lǐng)域得到應(yīng)用［21］；磁隨機存儲器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）將發(fā)展新的工作機制［22］，有望取代傳統(tǒng)嵌入式閃存和邏輯電路中的三級靜態(tài)緩存等；相變隨機存儲器（Phase Change Random Access Memory, PCRAM）［23］、阻變隨機存儲器（Resistance Random Access Memory, RRAM）［24］等也將利用結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點，在X-Point等新架構(gòu)中得到更好的應(yīng)用。此外，面向高性能計算、人工智能等應(yīng)用的未來存儲器技術(shù)，將結(jié)合三維VLSI集成方案，發(fā)展存算一體/近存計算等非馮·諾依曼的新型計算體系架構(gòu)。因具備高電子遷移率、低亞閾值擺幅、低關(guān)態(tài)電流等優(yōu)異特性，以及沉積工藝溫度低的特點，溝道材料IGZO（In-Ga-Zn-O）在三維存儲和集成技術(shù)中具有很大發(fā)展?jié)摿Γ陙淼玫搅藦V泛研究和關(guān)注。