第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展態(tài)勢分析
按照國家科技圖書文獻中心為國家“十三五”規(guī)劃中的國家重點研發(fā)計劃開展科技信息支撐和保障服務(wù)的戰(zhàn)略部署，結(jié)合“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項及中國科學(xué)院文獻情報中心情報分析與服務(wù)特色和優(yōu)勢，本書遴選了第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域作為研究對象。本書調(diào)研了主要科技發(fā)達國家制定的第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策；對以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表的關(guān)鍵材料領(lǐng)域開展研發(fā)技術(shù)專利、相關(guān)行業(yè)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用及市場調(diào)研和分析；嵌入機器學(xué)習(xí)方法，突破傳統(tǒng)情報研究與服務(wù)范式，重點對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）進行了熱點研究方向判斷和分析，以期為我國第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)技術(shù)發(fā)展提供參考，為突破摩爾定律極限、集成電路“卡脖子”技術(shù)提供一個發(fā)現(xiàn)問題、解決問題的視角。
·7.5萬字
