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鐵電負電容場效應(yīng)晶體管
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鐵電負電容場效應(yīng)晶體管針對后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴重的功耗問題,簡要介紹芯片功耗、工作電壓和場效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系,并通過解析鐵電負電容場效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機理,闡明鐵電負電容場效應(yīng)晶體管技術(shù)對于突破后摩爾時代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。為明確鐵電負電容場效應(yīng)晶體管領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,本書講述該領(lǐng)域各個方面的代表性研究成果,一方面闡述已經(jīng)取得的成果,另一方面希望通過剖析亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題,指明未來發(fā)展方向。本書主要內(nèi)容包括氧化鉿基鐵電材料,鐵電負電容場效應(yīng)晶體管的概念及其發(fā)展歷程、基本電學特性、電容匹配原則、負微分電阻(NDR)效應(yīng)以及頻率響應(yīng)特性等。此外,本書還詳細闡述了鐵電負電容效應(yīng)存在性研究及其本質(zhì)探索的相關(guān)內(nèi)容。本書是一本理論與實踐并重的專業(yè)技術(shù)圖書,可供從事新型低功耗器件研究及鐵電負電容場效應(yīng)晶體管研究的科研工作者和相關(guān)專業(yè)的高校研究生閱讀參考。

周久人 韓根全 郝躍 ·電子通信 ·9.8萬字

“芯”制造:集成電路制造技術(shù)鏈
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《“芯“制造:集成電路制造技術(shù)鏈》立足集成電路制造業(yè),以多方位視角,按產(chǎn)業(yè)鏈上游、中游、下游逐級剖析,采用分形理論框架,系統(tǒng)地繪制出集成電路制造業(yè)的立體知識樹。在內(nèi)容組織方面,本書以實際應(yīng)用為導向,涵蓋集成電路設(shè)計、生產(chǎn)制造及封裝測試三大關(guān)鍵環(huán)節(jié),聚焦芯片的尖端制造技術(shù)和先進封裝技術(shù),以分形邏輯詳細介紹產(chǎn)業(yè)鏈的每一個環(huán)節(jié)。本書共十二章。第一章為緒論,簡要介紹集成電路制造技術(shù)的發(fā)展歷程,集成電路制造業(yè)的概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)與特點,以及發(fā)展趨勢。第二章~第十章深入探討先進制造的工藝與設(shè)備,具體介紹芯片制造的單項工藝、關(guān)鍵材料、系統(tǒng)工藝,以及芯片設(shè)計與工藝的協(xié)同優(yōu)化,隨后詳細介紹光刻機、沉積與刻蝕設(shè)備、化學機械拋光,以及其他關(guān)鍵工藝設(shè)備與工藝量檢測設(shè)備。第十一章、第十二章分別介紹芯片封裝與測試,以及先進封裝與集成芯片制造技術(shù)。本書可供集成電路、微電子、電子科學與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)的研究生和高年級本科生學習,也可供相關(guān)專業(yè)高校教師和集成電路行業(yè)的研究人員、工程師等閱讀。

趙巍勝 王新河 林曉陽等編著 ·電子通信 ·34.5萬字

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