半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝
集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應(yīng)運而生?！栋雽?dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展。《半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》以特定的刻蝕應(yīng)用作為所討論機制的示例，例如柵極刻蝕、接觸孔刻蝕或3DNAND通道孔刻蝕，有助于對所有干法刻蝕技術(shù)的原子層次理解?！栋雽?dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》概念清晰，資料豐富，內(nèi)容新穎，可作為微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路科學(xué)與工程等專業(yè)的研究生和高年級本科生的教學(xué)參考書，也可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員參考。
·15.2萬字
