1.5.2 Spice Level 2模型

當溝道長度較小時，MOS管的各種高階效應表現的比較明顯，在溝道長度約小于4μm時，Level 1模型就表現出較大缺陷了，Level 2模型就是為了表示許多高階效應所建立的。

Level 2模型考慮到了沿溝道區閾值電壓的變化，不再只是用參數λ對溝道長度調制效應進行模擬，而且可以通過計算間斷點和漏區邊緣間的耗盡層寬度得到。另外Level 2模型也考慮到了溝道區垂直電場引起的遷移率退化，閾值電壓隨溝道長度的變化，速度飽和效應等。

對于工作在飽和區的寬而短的器件（L≈0.7μm），此模型能夠提供合理的I/V精度，但是在提供輸出阻抗等方面存在相當大誤差。而對窄而長的器件，該模型不再適用。