1.5.3 Spice Level 3模型

Level3模型對Level2模型的一些解析式進行了簡化并引入了許多經驗常數，提高了模型對溝道長度小到1μm的器件的仿真精度。0.8μm硅柵n阱CMOS的Level 3 Spice模型典型參數參見表1.5。

表1.5 0.8μmLevel3Spice模型典型參數

表中：DELTA—窄溝道閾值調節系數；THETA—遷移率退化系數；

ETA—靜態反饋閾值調節系數；XJ—冶金結深；

KAPPA—溝道調制飽和場系數；NFS—弱反型參數。

該模型的閾值電壓公式中考慮到了短溝道、窄溝道效應和漏致勢壘降低效應，其遷移率模型包括了垂直和橫向的電場影響，而且采用了更復雜的方法計算溝道長度調制以及電荷、電容參數。

與Level 2模型相似，Level 3模型對寬而短的器件，精度中等，但對長溝道器件誤差較大。Level3模型的缺點在于，在線性區邊界ID對VDS導數不連續，因此計算的輸出阻抗有較大誤差。