1.5.1 Spice Level 1模型

此模型采用如表1.3所列的參數(shù)，在一定程度上考慮到了溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和體效應(yīng)，但是不包括亞閾值傳導(dǎo)和任何短溝道效應(yīng)，其基于以下等式進(jìn)行參數(shù)提取。

線性區(qū)

飽和區(qū)

式中，；VTH0表示S和B端短路時(shí)的閾值電壓。

表1.3 NMOS和PMOS器件的Level1 Spice模型（0.5μm工藝）

表1.4給出了表1.3中部分參數(shù)符號(hào)的定義。

表1.4 表1.3中部分參數(shù)的定義