第二章 2021年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r

第一節(jié) 發(fā)展情況

一、產(chǎn)業(yè)規(guī)模

2021年，雖受新冠肺炎疫情和缺芯的影響，但得益于線上辦公、5G、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電動(dòng)化和智能化等因素驅(qū)使，全球半導(dǎo)體市場仍保持較快的增長態(tài)勢。在終端智能化需求增長及供應(yīng)鏈本土化的帶動(dòng)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)亦實(shí)現(xiàn)了較快的增長。自2014年6月國務(wù)院發(fā)布實(shí)施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》以來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)政策及投融資環(huán)境不斷改善，企業(yè)實(shí)力顯著增強(qiáng)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷增長。2010—2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模及增長率如圖2-1所示。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為7562.3億元，同比增長15.8%；2020年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為8848億元，同比增長17%；2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458.3億元，同比增長18.2%。

如圖2-2所示，按照季度銷售情況分析，我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在2021年下半年同比保持穩(wěn)定增長。

二、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)

（一）產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

2018—2021年，我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)和封裝測試業(yè)均保持了增長的態(tài)勢，其銷售規(guī)模及增長情況如圖2-3所示。2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458.3億元，同比增長18.2%。其中，設(shè)計(jì)業(yè)銷售額為4519億元，同比增長19.6%；制造業(yè)銷售額為3176.3億元，同比增長24.1%；封裝測試業(yè)銷售額2763億元，同比增長10.1%。

2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)季度銷售情況如表2-1所示。整體來看，芯片設(shè)計(jì)業(yè)和制造業(yè)均增速顯著。這主要是受新增企業(yè)數(shù)量快速增長及晶圓產(chǎn)能滿載等因素影響，我國集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。

2012—2021年我國集成電路三業(yè)—設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)和封裝測試業(yè)—銷售收入及產(chǎn)業(yè)鏈占比情況如表2-2所示。設(shè)計(jì)業(yè)占產(chǎn)業(yè)鏈的比重自2012年穩(wěn)步增加，從28.8%占比增加到2021年的43.2%。制造業(yè)由于生產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈占比增長至30.4%。封裝測試業(yè)所占比重持續(xù)下降到26.4%。總體看來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)得到進(jìn)一步優(yōu)化，結(jié)構(gòu)更加趨于合理。

2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)如圖2-4所示。

（二）區(qū)域分布

近年來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，空間形態(tài)呈現(xiàn)集群式“一軸一帶”分布，已經(jīng)形成長江三角洲、京津環(huán)渤海地區(qū)、珠江三角洲和以西安、武漢、重慶等地為代表的中西部地區(qū)等四個(gè)產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。同時(shí)，在福建發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的位置優(yōu)勢和近年來不斷出臺(tái)多項(xiàng)集成電路產(chǎn)業(yè)政策等因素的作用下，福州、廈門、泉州興建或引進(jìn)了多條極具特色的生產(chǎn)線，逐步從珠江三角洲聚集區(qū)獨(dú)立出來，形成了新的福州、廈門、泉州產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。從整體發(fā)展情況來看，長江三角洲是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最完整、綜合技術(shù)水平最高的地區(qū)。其次是珠江三角洲，粵芯立足廣州，成為廣東唯一量產(chǎn)的生產(chǎn)線，產(chǎn)能不斷增加，跑出發(fā)展加速度。以深圳為代表的設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展迅速，中芯深圳12英寸生產(chǎn)線正在加速投產(chǎn)。京津環(huán)渤海地區(qū)以北京為代表，現(xiàn)已形成以中芯國際、北方華創(chuàng)為龍頭，包括設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、裝備、零部件及材料等環(huán)節(jié)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。近年來，以武漢、西安、重慶等中心城市為主的中西部地區(qū)在武漢長江存儲(chǔ)、西安三星、潤西微電子等多家企業(yè)建設(shè)或擴(kuò)產(chǎn)的帶動(dòng)下，中西部集成電路產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。

三、進(jìn)出口情況

（一）半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)出口情況

1.進(jìn)口情況

半導(dǎo)體產(chǎn)品包括集成電路、光電器件、傳感器和分立器件，從進(jìn)口額來看，2021年半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)口額達(dá)到4670.93億美元，同比上升24%。其中，集成電路總進(jìn)口額4337.4億美元，占總進(jìn)口額的92.9%；光電器件、傳感器、分立器件總進(jìn)口額為333.53億美元，占總進(jìn)口額的7.1%。

2010—2021年我國半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)口情況如圖2-5所示。

2.出口情況

從出口額來看，2021年半導(dǎo)體產(chǎn)品出口規(guī)模持續(xù)增長，總額達(dá)到2040.9億美元，同比增長34%，其中，集成電路出口額為1553.04億美元，占總出口額的76.1%；光電器件、傳感器、分立器件總計(jì)出口額達(dá)到487.9億美元，占總進(jìn)口額的23.9%。2010—2021年我國半導(dǎo)體產(chǎn)品出口情況如圖2-6所示。

（二）集成電路進(jìn)出口情況

1.進(jìn)口情況

我國集成電路的進(jìn)口量逐年增長，進(jìn)口額受產(chǎn)品價(jià)格影響呈現(xiàn)出波動(dòng)增長態(tài)勢。2018年，集成電路進(jìn)口量和金額持續(xù)增長，進(jìn)口額達(dá)到3120.6億美元，同比增長20%。2019年，我國進(jìn)口集成電路4451.3億塊，同比增長6.6%；進(jìn)口額3055.5億美元，同比下降2.1%。2020年，我國集成電路進(jìn)口量為5435億塊，同比增長22.1%；進(jìn)口額為3500.4億美元，同比增長14.6%。2021年，我國集成電路進(jìn)口量為6355億塊，同比增長17%；進(jìn)口額為4337.4億美元，同比增長23.9%。2010—2020年我國集成電路進(jìn)口情況如圖2-7所示。

從進(jìn)口區(qū)域看，中國臺(tái)灣地區(qū)和韓國依然是中國大陸地區(qū)的主要進(jìn)口區(qū)域，總計(jì)占比56%。中國臺(tái)灣地區(qū)作為全球最大的代工基地和重要的封裝測試基地，貢獻(xiàn)了中國大陸地區(qū)集成電路進(jìn)口額的36%。2021年，中國大陸地區(qū)自韓國共進(jìn)口集成電路881.7億美元，較上年增長29%，占比20%；自馬來西亞、日本、越南和美國進(jìn)口占比分別為8%、5%、4%、4%。馬來西亞擁有眾多芯片制造廠和封裝測試廠，因此我國自馬來西亞進(jìn)口額較大，自日本進(jìn)口的產(chǎn)品以處理器和存儲(chǔ)器為主，自美國進(jìn)口的產(chǎn)品主要是處理器。2021年我國集成電路市場進(jìn)口區(qū)域結(jié)構(gòu)如圖2-8所示。

從進(jìn)口產(chǎn)品類型來看，處理器及控制器、存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)中心、計(jì)算機(jī)、移動(dòng)終端、嵌入式等領(lǐng)域需求量很大，占據(jù)我國芯片進(jìn)口近74.9%的市場份額。2021年，處理器及控制器的進(jìn)口額仍然最大，達(dá)到2021.7億美元，占總進(jìn)口額的46.7%。存儲(chǔ)器和放大器分列進(jìn)口第二和第三位，進(jìn)口額分別為1219.7億美元和156億美元，占總進(jìn)口額的28.2%和3.6%。其他集成電路種類繁多，占進(jìn)口額的21.5%。從進(jìn)口數(shù)量來看，2021年進(jìn)口集成電路6354.8億塊，其中處理器及控制器、存儲(chǔ)器占進(jìn)口量比例分別為24.4%和7.2%。放大器（包括晶體管、電源變壓器和其他具有信號(hào)放大功能的集成電路元器件等）進(jìn)口量占比為8.5%。2021年我國集成電路市場進(jìn)口額結(jié)構(gòu)如圖2-9所示。2021年我國集成電路市場進(jìn)口量結(jié)構(gòu)如圖2-10所示。

2.出口情況

2010—2021年，我國集成電路出口呈現(xiàn)波動(dòng)式增長的態(tài)勢。2016年，我國集成電路出口量略有下降，出口額同比下降10.8%。自2017年以來，隨著國內(nèi)芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)增加和國產(chǎn)芯片質(zhì)量的不斷提升，國內(nèi)芯片出口規(guī)模進(jìn)一步增加，2018年出口額達(dá)到846.4億美元。2019年出口集成電路2144億塊，出口額1021.9億美元，同比增長20.69%。2020年出口集成電路2598億塊，出口額1116億美元，同比增長9.2%。2021年我國集成電路出口規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，累計(jì)出口集成電路3107億塊，同比增長19.6%，出口額1537.8億美元，同比增長37.8%。2010—2021年我國集成電路出口情況如圖2-11所示。

從出口區(qū)域看，中國香港作為重要的貿(mào)易中轉(zhuǎn)站，是中國內(nèi)地集成電路出口占比最大的地區(qū)，出口額692億美元，占總出口額的45%。其次是中國臺(tái)灣地區(qū)和韓國，分別占中國大陸地區(qū)總出口額的14%和13%。越南和馬來西亞等東南亞國家作為全球重要的集成電路封裝測試基地和電子產(chǎn)品制造基地，也是我國集成電路的重要出口地區(qū)。2021年我國集成電路市場出口區(qū)域結(jié)構(gòu)如圖2-12所示。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，2021年出口量最大的產(chǎn)品為處理器及控制器，出口量為894.8億塊，占總出口量的28.8%，出口額509.9億美元，占總出口額的33.1%。然而，隨著存儲(chǔ)器出口單價(jià)持續(xù)增長，存儲(chǔ)器成為國內(nèi)出口產(chǎn)品中出口額最高的產(chǎn)品，2021年的出口額為757.6億美元，占集成電路總出口額的49.3%。放大器的出口額和出口量為40.9億美元和164.9億塊，占總額的2.7%和5.3%。2021年我國集成電路市場出口結(jié)構(gòu)如表2-3所示。

四、技術(shù)發(fā)展

2021年，我國在集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測試、設(shè)備、材料等方面取得了一系列新進(jìn)展，在技術(shù)方面與世界先進(jìn)水平的差距正逐步縮小。

（一）設(shè)計(jì)業(yè)技術(shù)發(fā)展情況

目前，我國企業(yè)在應(yīng)用處理器、射頻芯片等移動(dòng)終端芯片、數(shù)字電視芯片、智能卡芯片、人工智能芯片等專用器件市場和CMOS圖像傳感器、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)傳感器、指紋傳感器等通用器件市場上發(fā)展較好，整體技術(shù)達(dá)到或接近世界先進(jìn)水平。在移動(dòng)處理器方面，海思發(fā)布5nm工藝制程的手機(jī)5G SoC芯片麒麟9000，采用8核心設(shè)計(jì)，集成多達(dá)153億個(gè)晶體管，最高主頻可達(dá)3.13GHz，產(chǎn)品性能已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。在5G芯片方面，紫光展銳已發(fā)布旗下首款6nm EUV 5G SoC芯片T7520，繼海思之后，開始向中高端通信芯片領(lǐng)域邁進(jìn)。在人工智能芯片方面，寒武紀(jì)、地平線和百度不斷發(fā)力。其中，寒武紀(jì)推出的首顆訓(xùn)練芯片思元290，采用臺(tái)積電7nm制程工藝，集成460億個(gè)晶體管，繼續(xù)縮小與英偉達(dá)的差距。在圖像傳感器方面，上海韋爾半導(dǎo)體（豪威科技）已發(fā)布首款像素尺寸僅為0.61μm的2億像素分辨率圖像傳感器OVB0B，已邁向第一梯隊(duì)。我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)重點(diǎn)技術(shù)發(fā)展情況如表2-4所示。

（二）制造業(yè)技術(shù)發(fā)展情況

目前，三星和臺(tái)積電是全球僅有的兩家可以實(shí)現(xiàn)5nm芯片量產(chǎn)的企業(yè)。中國大陸地區(qū)企業(yè)的集成電路技術(shù)在邏輯工藝方面與三星、臺(tái)積電還存在三代的差距，但也取得了快速突破。中芯南方已實(shí)現(xiàn)14nm工藝芯片的量產(chǎn)；上海華力28nm全套制程工藝（28LP/28HK/28HKC+）已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，14nm研發(fā)取得重大進(jìn)展。我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)進(jìn)展迅速，已逐漸從技術(shù)突破階段向產(chǎn)能提升階段躍遷。長江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的128層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年底推出192層的3D NAND閃存樣品。合肥長鑫已量產(chǎn)19nm工藝的DDR4內(nèi)存，17nm的DDR5內(nèi)存芯片計(jì)劃于2022年第二季度量產(chǎn)。我國集成電路制造業(yè)重點(diǎn)技術(shù)發(fā)展情況如表2-5所示。

（三）封裝測試業(yè)技術(shù)發(fā)展情況

由于我國企業(yè)進(jìn)入封裝測試行業(yè)時(shí)間較早、技術(shù)研發(fā)持續(xù)性較好、內(nèi)資龍頭企業(yè)對(duì)國外優(yōu)質(zhì)標(biāo)的進(jìn)行收購等原因，我國封裝測試技術(shù)已整體達(dá)到世界先進(jìn)水平，部分技術(shù)工藝處于世界領(lǐng)先水平。配合我國在生產(chǎn)成本方面的優(yōu)勢，封裝測試成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)中最先向我國進(jìn)行轉(zhuǎn)移的環(huán)節(jié)，也是我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最具優(yōu)勢的領(lǐng)域。當(dāng)前，包括中小封裝廠在內(nèi)的我國企業(yè)已經(jīng)全面掌握傳統(tǒng)封裝技術(shù)，成本、工藝技術(shù)差異化是廠商形成市場競爭力的關(guān)鍵。面向先進(jìn)封裝技術(shù)，在芯片小型化、高密度化的發(fā)展趨勢下，先進(jìn)封裝技術(shù)是全球主流封裝測試廠商研發(fā)的核心。我國先進(jìn)封裝技術(shù)由長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技等企業(yè)掌握，技術(shù)覆蓋WLP、Fan-Out、Flip Chip、2.5/3D等。表2-6為第十四屆中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)集成電路封裝測試技術(shù)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目。

（四）設(shè)備業(yè)技術(shù)發(fā)展情況

集成電路設(shè)備業(yè)是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的薄弱環(huán)節(jié)，但在“02專項(xiàng)”（極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝）的大力支持下，我國集成電路關(guān)鍵制造設(shè)備技術(shù)水平取得巨大突破，刻蝕、物理氣相沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光等十幾種關(guān)鍵設(shè)備均通過生產(chǎn)線驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)銷售。2021年，在美國加強(qiáng)技術(shù)和設(shè)備封鎖的情況下，我國半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)替代步伐加快，技術(shù)水平不斷突破。目前，國內(nèi)設(shè)備廠商28nm生產(chǎn)線設(shè)備批量供應(yīng)，14nm生產(chǎn)線設(shè)備在逐步進(jìn)行客戶驗(yàn)證，部分產(chǎn)品達(dá)到國際先進(jìn)水平，可用于5nm工藝。北方華創(chuàng)自主研發(fā)的14nm等離子硅刻蝕機(jī)、單片退火系統(tǒng)等已進(jìn)入主流代工廠，多款14nm設(shè)備正在進(jìn)行客戶驗(yàn)證，多款10nm設(shè)備正在研發(fā)。中微半導(dǎo)體已完成3nm刻蝕機(jī)原型機(jī)的設(shè)計(jì)、制造和測試，并完成了相關(guān)工藝卡法和評(píng)估，正處于量產(chǎn)階段。屹唐半導(dǎo)體的干法去膠機(jī)、退火設(shè)備等已達(dá)到國際先進(jìn)水平，占有一定的市場份額。目前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備生態(tài)圈逐步完善，各類設(shè)備均有布局，根據(jù)中國國際招投標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，按照設(shè)備臺(tái)數(shù)計(jì)算，本土主要晶圓生產(chǎn)線設(shè)備國產(chǎn)化率約15%，長江存儲(chǔ)設(shè)備國產(chǎn)化率超過20%，上海積塔半導(dǎo)體國產(chǎn)化率已達(dá)到46%。刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備國產(chǎn)化率低于20%，沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、CMP設(shè)備等國產(chǎn)化率低于10%，光刻設(shè)備、量測設(shè)備低于5%。

（五）材料業(yè)技術(shù)發(fā)展情況

我國集成電路材料業(yè)在“02專項(xiàng)”支持下成果顯著。在前道制造材料方面，硅片、靶材、光刻膠、拋光液、高純化學(xué)試劑、電子氣體、掩膜版、離子源等材料均實(shí)現(xiàn)突破，部分材料已應(yīng)用于12英寸生產(chǎn)線。在后道封裝材料方面，引線框架、封裝基板、鍵合絲、粘片膠等材料基本可以實(shí)現(xiàn)自給，且產(chǎn)量不斷提升。由于國內(nèi)先進(jìn)工藝、特色工藝和存儲(chǔ)器生產(chǎn)線的陸續(xù)投產(chǎn)，集成電路材料的市場需求持續(xù)攀升，企業(yè)技術(shù)研發(fā)力度亦不斷增加。在硅片方面，上海新昇、有研半導(dǎo)體、天津中環(huán)等都在積極研發(fā)12英寸硅片。其中上海新昇正片已通過28nm邏輯工藝認(rèn)證和長江存儲(chǔ)3D NAND Flash認(rèn)證。河北普興、上海新傲、南京國盛等企業(yè)具備硅外延片的生產(chǎn)能力。在靶材方面，寧波江豐電子靶材已進(jìn)入海外5nm生產(chǎn)線，成為全球第二大供應(yīng)商。在光刻膠方面，北京科華、蘇州瑞紅、上海新陽和南大光電等企業(yè)技術(shù)研發(fā)取得突破。其中，蘇州瑞紅部分光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)過中電55所（全稱“中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所”）、華潤微電子和華虹宏力的工藝驗(yàn)證。北京科華作為唯一實(shí)現(xiàn)KrF光刻膠量產(chǎn)的企業(yè)，KrF光刻膠較上年同期增長227%。

五、市場情況

近年來，我國集成電路市場總體呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢。2014年，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的暴發(fā)式增長帶動(dòng)我國集成電路市場需求首次突破1萬億元。2017年，在存儲(chǔ)器價(jià)格大幅上漲和人工智能、5G、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、區(qū)塊鏈等新興市場的影響下，市場規(guī)模大幅增長，達(dá)到14250.5億元，增速高達(dá)18.9%。2018年，受計(jì)算機(jī)和手機(jī)市場增長乏力的影響，我國市場增速較上年有所回落，達(dá)到12.5%，市場規(guī)模達(dá)到16031.8億元。2019年，受存儲(chǔ)器大幅降價(jià)影響，我國集成電路市場需求下降至15093.5億元左右，同比下降約5.9%。2020年，在新基建的快速布局和汽車電動(dòng)化、智能化等因素及新冠肺炎疫情驅(qū)動(dòng)下，顯示面板和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)︼@示驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片和存儲(chǔ)等芯片的需求劇增。2020年，我國集成電路市場需求保持8.3%的正增長。在旺盛的市場需求下，我國集成電路市場需求在2021年達(dá)到20.6%的快速增長。2010—2021年我國集成電路市場需求情況如圖2-13所示。

在應(yīng)用結(jié)構(gòu)方面，網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，三者銷售額總計(jì)占市場的78.1%。網(wǎng)絡(luò)通信是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的主要細(xì)分市場，在5G市場發(fā)展的影響下，市場占比達(dá)到36.8%。汽車電動(dòng)化及智能化使得汽車半導(dǎo)體價(jià)值含量提升，汽車電子產(chǎn)品市場占比增至9.1%。2021年我國半導(dǎo)體市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)如圖2-14所示。

六、投融資情況

2019年10月22日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（“大基金二期”）正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本2041.5億元人民幣，共有27位股東，包括財(cái)政部、國開金融、中國煙草等國家機(jī)關(guān)部門及國家級(jí)資金，還有地方政府背景資金、央企資金、民企資金及其他投資資金。大基金一期投資布局以制造領(lǐng)域?yàn)橹鳎P(guān)注各產(chǎn)業(yè)鏈龍頭，大基金二期注重在投資結(jié)構(gòu)方面不斷優(yōu)化。據(jù)統(tǒng)計(jì)，大基金二期2021年總計(jì)投資超500億元。大基金二期2021年投資15家企業(yè)，其中半導(dǎo)體制造企業(yè)和設(shè)計(jì)企業(yè)各3家、半導(dǎo)體材料和設(shè)備企業(yè)各3家、封裝測試企業(yè)2家、制造軟件企業(yè)1家，投資開始向支撐環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移，投資結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化。其中，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，大基金二期投資了百維存儲(chǔ)、慧智微和燦勤科技；在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)，投資了潤西微電子、中芯東方、中芯深圳；在半導(dǎo)體封裝測試環(huán)節(jié)，投資了華天科技和東科半導(dǎo)體；在半導(dǎo)體設(shè)備方面，投資了中微半導(dǎo)體、至微半導(dǎo)體和北方華創(chuàng)；在半導(dǎo)體材料方面，投資了南大光電、派特特種氣體、興福電子；在半導(dǎo)體制造軟件方面，投資了上揚(yáng)軟件。

高性能計(jì)算、模擬芯片、EDA/IP為投資機(jī)構(gòu)投資芯片領(lǐng)域的主要賽道。美國近年來不斷對(duì)我國進(jìn)行技術(shù)打壓，使我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來新一輪發(fā)展熱潮，資本市場對(duì)我國半導(dǎo)體企業(yè)的關(guān)注度日益提高。大基金、華登國際、英特爾投資、北極光創(chuàng)投、深創(chuàng)投、中科創(chuàng)星、元禾控股、中芯聚源等在半導(dǎo)體投融資市場活躍。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年集成電路行業(yè)投資事件達(dá)到543宗，融資金額達(dá)到1255.99億元。從投融資賽道來看，高性能計(jì)算、模擬芯片、EDA/IP為主要投資領(lǐng)域。從投融資規(guī)模看，高性能計(jì)算，激光或毫米波雷達(dá)等吸引資本能力較強(qiáng)。