3.11　真空烘焙

3.11.1　采用真空烘焙工藝應符合下列規定：

1　對分子污染高度敏感的器件焊接封裝時，應采用真空烘焙工藝；

2　在惰性氣體中進行微波器件焊接封裝時，應采用真空烘焙工藝；

3　在惰性氣體中進行混合電路盒體焊接封裝時，應采用真空烘焙工藝；

4　模塊進行密封或者真空焊接前去除內部的水汽或其他吸附性氣體成分時，可采用真空烘焙工藝。

3.11.2　真空烘焙主要工序應符合下列規定：

1　真空焙烘系統在烘烤組件前應進行烘烤，確認系統正常；

2　抽真空至100Pa，根據需要設定一定的除氣溫度和時間，開始加熱除氣，加熱溫度不應超過組件、器件的最高耐受溫度，但應高于組件工作溫度10℃以上；

3　系統回溫，熱沉溫度應低于組件和烘烤溫度；

4　應根據組件內部水汽及氧氣含量要求，設置時間、溫度、烘焙壓力等工藝參數；

5　根據組件封蓋后內部保護氣氛的要求，真空烘焙后應進行相應保護氣體的回充。

3.11.3　真空烘焙工藝運行條件應符合下列規定：

1　真空烘焙工藝宜在等于或優于8級凈化區中進行；

2　真空烘焙工藝的回充氣體應為氮氣或其他惰性氣體。