3.4　共　晶　焊

3.4.1　共晶焊工藝應適用于要求散熱好的大功率電路芯片或基片、要求接觸電阻小的高頻電路芯片，以及要求濕氣含量非常低的混合電路的貼裝或封帽。

3.4.2　共晶焊的主要工序應符合下列規定：

1　共晶焊前，應對基板和載體進行清洗并烘干；

2　應選擇共晶焊料和焊接母體表面粗糙度；

3　應將裁剪好的合金預制焊片置于基板（外殼）底座上，將待安裝的各元器件（基板）準確放置在對應的焊片上，通過溫度、時間、氣氛要求完成共晶；

4　采用含金的合金焊料時，芯片背面應淀積金層；采用以錫、銦為主要成分的低共熔溫度軟合金焊料時，芯片背面應淀積鎳、銀層或鎳金層；

5　當共晶焊料中含有助焊劑時，焊接后的器件應清洗去除焊料、焊劑的殘渣；

6　焊接完成后，應無損檢測芯片、基板外觀和焊接的空洞率。

3.4.3　共晶焊的工藝運行條件應符合下列規定：

1　共晶焊工藝宜在等于或優于8級凈化區中完成；

2　共晶焊應在氮氣或氮氫混合氣體的保護氣氛中進行；

3　當共晶焊與環氧貼裝用于同一電路時，應先完成操作溫度高的共晶焊再進行環氧貼裝；

4　手動共晶焊工藝可使用壓縮空氣；

5　多個工序采用共晶焊工藝時，前道工序選用焊料的共晶溫度應高于后道工序。