納米CMOS器件及電路的輻射效應
本書主要介紹廣泛存在的各種輻射對納米CMOS器件及其電路的影響,涵蓋了各種輻射環境分析、電離損傷機理研究、納米器件的總劑量效應和單粒子效應的建模仿真、輻射效應對納米電路的影響及輻照實驗設計等,綜合考慮器件特征尺寸縮減對輻射效應的影響,從器件、電路角度建模分析,給出了納電子器件及其電路的輻射效應的分析方法和思路。本書對高“k”柵介質對納米CMOS器件的輻射效應的影響、新興的納米FinFET及納米線的輻射效應、器件級加固技術進行了分析和討論,還給出了單粒子串擾的建模方法以及數字電路在單粒子效應下的軟錯誤率評估方法。
·10.4萬字