1.3.2 Bipolar晶體管大信號模型

如果晶體管的VCE＞VCE，sat（大約為0.3V），則此晶體管工作于有源區，電壓VCE，sat用來確保基區的空穴無法到達集電極。BJT工作于有源區的大信號模型如圖1.24所示，模型中的參數如下所述。

由于IB=IC/β，因此有

此式與二極管的公式相似，但是多了一個常數ICS/β=IBS。由于IE=IB+IC，故有

同樣有

式中，α定義為

對于大的β，α近似為

如果要在模型中包含VCE對IC的影響，則流控電流源βIB應該用下面的電流源代替

式中，VA為Early電壓常數。

當集電極-射極電壓接近VCE，sat（典型值為0.2～0.3V）時，基-集結變得正偏，從基極來的空穴會開始擴散到集電極。圖1.25為晶體管處于飽和區的模型，注意此時由于集電極電流值較小，VCE，sat的值將有所降低。