第1章 CMOS集成電路EDA技術(shù)

金屬-氧化物半導體（Metal Oxide Semiconductor，MOS）集成電路技術(shù)始于20世紀70年代。隨著MOS晶體管工藝尺寸的不斷減小，亞微米集成電路和深亞微米集成電路在隨后的20世紀80年代和90年代逐漸發(fā)展起來。進入21世紀以來，MOS集成電路更是進入納米級集成電路時代。

在集成電路工藝領(lǐng)域，歷史上陸續(xù)出現(xiàn)了P溝道硅柵MOS工藝、P溝道鋁柵MOS工藝、N溝道硅柵MOS工藝、高性能短溝道金屬-氧化物半導體（HMOS）工藝等，它們都各具優(yōu)劣勢，在不同時期、不同領(lǐng)域得到了應用。隨著集成電路集成度的日益提高，普通MOS工藝已不能滿足大規(guī)模和超大規(guī)模集成系統(tǒng)制造的需要，于是互補金屬-氧化物半導體（CMOS）工藝應運而生。CMOS在數(shù)字大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的制造中首先得到廣泛應用，并得到快速發(fā)展。特別是自20世紀80年代以來，CMOS工藝更是成為了CPU、RAM、ROM等超大規(guī)模集成電路的主導制造工藝。

伴隨著CMOS集成電路工藝的不斷成熟和進步，CMOS集成電路設(shè)計方法也發(fā)生了巨大的轉(zhuǎn)變，從最初的手工設(shè)計已經(jīng)發(fā)展到目前的電子設(shè)計自動化（EDA）設(shè)計。如今，EDA技術(shù)已經(jīng)成為了集成電路設(shè)計的基本途徑，廣泛應用于CMOS模擬、數(shù)字、混合信號以及射頻集成電路和系統(tǒng)的設(shè)計中。本書重點關(guān)注EDA技術(shù)在CMOS集成電路領(lǐng)域的應用和方法，依據(jù)設(shè)計流程詳細地介紹了CMOS模擬、數(shù)字集成電路設(shè)計中使用的各類EDA工具，為初學CMOS集成電路設(shè)計的高等院校學生和工程師提供參考。

本章主要介紹CMOS模擬、數(shù)字集成電路EDA技術(shù)的基本概況和主流工具，為之后的進階學習奠定理論基礎(chǔ)。