- 光伏發電實驗實訓教程
- 李濤主編 梁文英 梁光勝 司楊副主編
- 3482字
- 2021-04-30 17:33:18
1.2 非平衡少數載流子壽命測試
1.實驗目的
掌握少數載流子壽命的測試方法與原理。
掌握高頻光電導衰減法少子壽命測試設備的使用方法。
2.實驗原理
少數載流子壽命高頻光電導衰減法測量電路示意圖如圖1.5所示。

圖1.5 少數載流子壽命高頻光電導衰減法測量電路示意圖
單晶硅樣品被光照射時產生了新的光生電子—空穴對。對于N型樣品空穴即為少數載流子;對于P型樣品電子即為少數載流子。光熄滅后,這些光生載流子被體內重金屬雜質形成的深能級所捕獲,同時被表面缺陷中心復合。在復合過程中少數載流子的減少起最主要的作用,隨著光生載流子的減少,高頻源流過樣品的電流減小,在取樣器上得到的光電導電壓按指數方式衰減,如圖1.6所示。在圖1.6中,,則

式中 τ——時間變量。
則


圖1.6 光電導電圖
式中 e——t1~t2內遷移的電子量。
選擇CURSORS光標模式手動測量,進入手動測量界面,壽命讀數可從表1.3中選擇光標起止位置進行測量,測量時將波形大小調為6格(請根據垂直系統微調將信號調至6格),按照6格計算起止光標位置,見表1.6,波形如圖1.7所示。
表1.6 起止光標位置


圖1.7 波形圖
選擇的壽命值建議取在光電導電壓U0從40%衰減到14.7%的時間段。
數字示波器可以取信號的疊加平均值,可以顯著降低噪聲,提升波形質量。平均次數越多,波形和讀數越穩定。在保證波形穩定的情況下,為了提高測量速度一般讀取32次數據即可。按功能鍵“采樣ACQUIRE”即可選獲取方式為平均。
本儀器壽命測試范圍為5~10000μs,按測量標準對儀器設備的要求,本儀器設備配有以下部件:
(1)光脈沖發生裝置。主要參數為:重復頻率大于25次/s,脈寬不小于60μs,脈沖電源為5~20A,光脈沖關斷時間小于2μs,紅外光源波長為1.06~1.09μm(測量單晶硅)。
(2)高頻源。頻率為30MHz,低輸出阻抗,輸出功率大于1W。
(3)放大器和檢波器。頻率響應為2~2MHz。
(4)配用示波器。頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續可調,如果測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源。
(5)儀器配有兩種光源電極臺,既可測量縱向放置的單晶硅壽命,也可測量豎放單晶硅橫截面的壽命。
3.實驗設備
數字式硅晶少數載流子壽命測試儀、數字示波器。
4.實驗步驟
(1)少數載流子壽命測試儀的使用。
1)檢查電源開關及連接線路。儀器面板圖如圖1.8所示。開機前檢查電源開關是否處于關斷狀態:“0”在高位——開態,“1”在高位——關態。在少數載流子壽命測試儀(簡稱壽命測試儀)信號調節端與示波器通道1(CH1)之間,用隨機配置的信號線連接。擰緊壽命測試儀背板的保險管帽,插好電源線。

圖1.8 少數載流子壽命測試儀面板圖
2)開啟壽命測試儀電源開關。按下電源開關“1”,此時“1”處于低位,“0”處于高位,開關指示燈亮。先在鈹青銅電極尖端點兩滴自來水,然后將單晶硅放在電極上準備測量。
3)開啟脈沖光源開關。光脈沖發生裝置為雙電源供電,先按下光源開關“1”,壽命測試儀內脈沖發生器開始工作。再順時針方向擰響帶開關電位器(光強調節),此時光強指示數字表在延時10s左右(儲能電容完成充電)數值上升。測量數千歐姆·厘米的高阻單晶硅時,光強電壓只要用到5V左右;測量數十歐姆·厘米的單晶硅可將電壓加到10V左右;測量幾歐姆·厘米的單晶硅可將電壓加到15V左右。光強調節電位器順時針方向旋轉,脈沖光源工作電壓升高,光強增強,最高可調到20V,此時流經發光管的電流高達20A,因此不能在此條件下長期工作。
4)設備預熱。壽命測試儀電源開關在開啟瞬間,由于機內儲能電容、濾波電容均處于充電狀態,是一個不穩定的過程,因此示波屏上會出現短時雜亂不穩的波形。待充電完成后示波屏上出現一條較細的水平線時,壽命測試儀才進入工作狀態。因此使用前請開機預熱2~3min。更換單晶硅測量時無需再開關儀器。
5)批量測試時,當發現信號不佳時,請先考慮補充2個金屬電極尖端的水滴,但注意水滴不要流入出光孔。
6)長期使用后,鈹青銅會氧化變黑,此時如果加水也不能改善信號波形,請用金相砂紙(或細砂紙)打磨發黑部分,并將擦下的黑灰用酒精棉簽擦凈。
(2)數字示波器的使用。數字示波器實物圖如圖1.9所示。
1)將壽命測試儀主機信號線接入Y通道2高頻插座,按示波器頂蓋電源開關。檢查CURSORS(光標)、通道2、RUN/STOP 3個綠燈是否亮。如有缺亮的燈,請按相應按鍵。RUR/SOTP燈紅色時為停止,綠色才能運轉。
2)數字示波器前面板部分操作。
a.垂直系統。垂直通道電壓靈敏度由通道2上方的大旋鈕控制,按下一次為粗調(步進),再按下一次為細調。注意網絡下方左邊通道2/V的變化,此數代表每分格(8.9mm)的電壓值。低阻單晶硅通道2/V后面數字常用在20mv/div、50mv/div、100mv/div擋。通道2下面的小旋鈕控制波形在顯示屏的上、下位置,若在調節波形垂直大小時波形失顯,則按一下垂直系統的小旋鈕讓其歸零或調節觸發電平即可重新顯示。

圖1.9 示波器實物圖
b.水平系統。大旋鈕調節掃描速度時,請注意屏幕網絡下方的M=××μs,它表示每分格代表的掃描時間,一般選M值與單晶硅壽命相近,低阻單晶硅選M=10μs、25μs、50μs。(注:大旋鈕只有掃描速度的步進調節功能,沒有細調功能。此旋鈕按一下出現兩條直線將指定部位波形放大,再按一下出現放大后的波形,再按一下則還原,僅是放大波形,以便于觀察細節,并無實際的調節功能。)
小旋鈕控制波形在屏幕上的左、右位置,調節時請緩慢旋轉,因為調節掃描速度時波形也可能跳到屏幕顯示之外,此時按一下小旋鈕波形就會回到顯示屏中間位置。
c.同步系統。由于壽命測試儀信號線接入通道2,因此只能選通道2為觸發信源,不能選通道1或脈沖、視頻等。觸發類型選上升邊沿。觸發方式為自動或在波形不穩時選單次。耦合設置一般選“交流”或(在波形漂動時)“低頻抑制”,特長壽命(>1ms)測量選“直流”。此時旋轉觸發電平,會出現一條水平亮線,通過旋轉可上、下移動,當亮線移至波形要出現的位置時,波形將穩定出現。設置完成后關閉電源,示波器將自動保存設置,下次開機即可直接使用。藍色AUTO為自動設置鍵,按下則恢復出廠設置,若無意按下,需按要求重新設置。
(3)示波器的基本設置及使用方法。為更快掌握示波器的使用方法,現列出其基本設置、調試方法及注意事項如下:
a.首先打開示波器頂端的電源開關,選擇所使用的通道1或通道2。如選通道2,則按下相應的按鈕,選好后按鈕會發綠光,注意此時要保證其他3個按鈕在未選狀態,其中右邊的兩個旋鈕為通道2的Volt/div旋鈕和垂直POSITON旋鈕;S/div為水平控制,用于改變掃描時間刻度,以便在水平方向放大或縮小波形。
b.選好通道以后進行基本參數設置,其中設置菜單均在屏幕右邊,并使用旁邊對應的5個藍色按鈕來選擇要設置的項。進入二級菜單時使用萬能旋鈕,通過旋轉使光標鎖定在所需項,這時按下萬能旋鈕來確定,再查看所選項是否正確,操作步驟如下:
a)若選用通道2,在參數設置中耦合選為“交流”、帶寬限制選為“開啟”、反相選為“關閉”、數字濾波選為“關閉”,其他不需特別設置。
b)點擊TRIG MENU按鈕,屏幕右邊出現一列菜單,其中觸發類型選為邊沿、信源選為通道2,觸發方式為自動,斜率選第一項。
c)點擊DISPLAY按鈕,菜單中類型為“矢量”、持續選為“關閉”、格式為“YT”、屏幕選擇“反相”時其背景色為白色,如果要打印波形,建議選擇反相,可節省墨量;菜單顯示無限、界面方案可根據喜歡的顏色來選擇。
d)UTILITY設置,即設置打印方式。注意:后USB口選為打印機,打印設置中的打印鈕設為打印圖像,其他可根據情況自行設定。
e)點擊ACQUIRE按鈕,其中獲取方式為平均值,平均次數有4、16、32、64、128、256 6種選擇。一般情況下建議使用32次,數值越大波形越穩定,測量值越精確;但次數越大波形達到穩定的時間越長,需要等待幾秒鐘。Sinx/x選擇開啟,采樣方式為實時采樣。
f)點擊CURSORS光標,模式為手動測量。在手動測量菜單里,類型選擇“時間”,信源選擇通道2;通過調整光標CurA、CurB來調整取值范圍,兩條光標之間的部分為所取壽命范圍,左上角的ΔT為壽命值。
c.調節波形。通過旋轉水平Volt/div及垂直S/div旋鈕來調節波形的大小。其中Volt/div分為粗調和細調,按一下旋鈕則變為細調狀態,再按一下即可恢復粗調。當信號波形閃爍不穩定時可調觸發電平來改善波形,按下觸發電平旋鈕,屏幕最左邊的“2→(通道2信號)”將和“T→(觸發電平)”重合,此時旋轉觸發電平使其“T→白線”位于波形范圍內。
學院___________專業___________
班級___________姓名___________學號___________
非平衡少數載流子壽命測試實驗報告
1.實驗目的
2.實驗原理
3.實驗方法
4.實驗結果
(1)請繪制出標準單晶硅樣品的少數載流子壽命波形曲線。
(2)請繪制出標準多晶硅樣品的少數載流子壽命波形曲線。
(3)請繪制出自有多晶硅樣品的少數載流子壽命波形曲線。
(4)請簡述單晶硅和多晶硅樣品在少數載流子測量結果上的差異表現,并對原因進行簡要分析。