- 光伏發(fā)電實驗實訓教程
- 李濤主編 梁文英 梁光勝 司楊副主編
- 2442字
- 2021-04-30 17:33:17
第1章 太陽電池材料實驗
1.1 單晶硅電阻率的測量
1.實驗目的
掌握四探針測試儀的使用。
掌握四探針法測量單晶硅電阻率的測試方法。
掌握單晶硅電阻率的數(shù)據(jù)評價方法。
2.實驗原理
四探針測試儀主機由主機板、前面板、后背板及機箱組成。前面板上主要裝有數(shù)字表、測試電流換擋開關、電阻率/方塊電阻轉(zhuǎn)換開關、校準/測量變換開關以及電流調(diào)節(jié)電位器;后背板上裝有電源插座、電源開關、保險管及四探針連接插座。機箱底板上裝有主機板。前、后面板與主機板之間的連接均采用接插件,便于拆卸維修。其實驗原理圖如圖1.1所示,電阻率測試儀框圖如圖1.2所示,測量儀器前面板如圖1.3所示,測量儀器后面板如圖1.4所示。

圖1.1 電阻率/方塊電阻測試儀原理圖
四探針測試儀的基本原理是恒流源給探針1、探針4提供穩(wěn)定的測量電流I,由探針2、探針3測取被測樣品上的電位差U。

圖1.2 電阻率測試儀框圖

圖1.3 測量儀器前面板圖

圖1.4 測量儀器后面板圖
當樣塊厚度大于4倍探針間距時,即可計算材料的電阻率為

式中 S——探針間距,cm;
U——電壓的讀數(shù),mV;
I——電流的讀數(shù),mA;
Fsp——探針間距修正系數(shù);
ρ——電阻率,Ω·cm。
式(1.1)較為經(jīng)典,用于樣品厚度和任一探針離樣品邊界的距離均大于4倍探針間距(近似半無窮大的邊界條件),且無需進行厚度、直徑修正的情況。此時如用S=1mm的探頭,選擇I=0.628A;如用S=1.59mm的探頭,選擇I=0.999A,這樣就可以從本儀器的電壓表上直接讀出電阻率。
如選擇I=2πS,只要處理好小數(shù)點的位置,數(shù)字電壓表上顯示的U=ρ。當Fsp=1.00時,如:S=1mm時,可選擇I=62.8mA或I=6.28mA;S=1.59mm時,可選I=100.0mA或I=10.00mA。
樣塊厚度小于4倍探針間距的樣片電阻率為

式中 U——電壓的讀數(shù),mV;
I——電流的讀數(shù),mA;
W——被測樣片的厚度值,cm;
F(W/S)——厚度修正系數(shù),數(shù)值見表1.1;
F(S/D)——直徑修正系數(shù),數(shù)值見表1.2;
Fsp——探針間距修正系數(shù);
Ft——溫度修正系數(shù),數(shù)值見表1.3。
表1.1 厚度修正系數(shù)F(W/S)計算表

注 厚度修正系數(shù)F(W/S)為圓片厚度W與探針間距S之比的函數(shù)。
表1.2 直徑修正系數(shù)F(S/D)計算表

注 直徑修正系數(shù)F(S/D)為探針間距S與圓片直徑D之比的函數(shù)。
表1.3 溫度修正系數(shù)表

注 溫度修正系數(shù)表的數(shù)據(jù)來源于中國計量科學研究院。
為方便用戶直接從數(shù)字表上讀出硅片電阻率,可設定I=WF(W/S)F(S/D),則ρ=UFspFt,這樣就可預先計算出不同厚度樣快的I,本儀器說明書附有硅片厚度直讀電流選擇表,只要按照樣品厚度選擇電流,即可從數(shù)字表上直接讀出硅片電阻率。
3.實驗設備
四探針測定儀、標準樣片。
4.實驗步驟
(1)面板各參數(shù)選擇。儀器除電源開關在后面板外其他控制部分均安裝在前面板上,前面板的左邊集中了所有與電流測量有關的顯示和控制部分,“電流表”顯示各擋電流值,“電流選擇”按鈕供電流選用,220V交流電電源接通后儀器自動選擇在常用的1.0mA擋,此時“1.0”上方的紅色指示燈亮,隨著選擇開關的按動,指示燈在不同的擋位亮起,直至選到合適擋位為止。打開“恒流源”按鈕,上方指示燈亮,電流表顯示電流值,調(diào)節(jié)“粗調(diào)”旋鈕使前三位數(shù)達到目標值,再調(diào)節(jié)“細調(diào)”旋鈕使后兩位數(shù)達到目標值,這樣就完成了電流調(diào)節(jié)工作。面板的右邊集中了所有與電壓測量有關的控制部件,“電壓表”顯示各擋(電阻率/方阻手動/自動)的正向、反向電壓測量值。“電阻率/方阻”鍵必須選擇正確,否則測量值會相差10倍;同樣“手動/自動”擋也必須選擇正確,否則儀器將拒絕工作。
后面板上主要安裝電纜插座,安裝時請注意插頭與插座的對位標志。因為在背后容易漏插,松動時不易被發(fā)現(xiàn),所以安裝必須插全、插牢。
(2)使用儀器前將電源線、測試架連接線、主機與微控制器的連接線連接好,并注意測試架上是否已接好探針頭。電源線接入220V交流電后,開啟后背板上的電源開關,此時前面板上的數(shù)字表、發(fā)光二極管都會亮起來。探針頭壓在被測單晶上,打開“恒流源”開關,“電流表”顯示從探針1、探針4流入單晶的測量電流,“電壓表”顯示電阻率(測單晶錠時)或探針2與探針3間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板左下方的“粗調(diào)”“細調(diào)”旋鈕加以調(diào)節(jié),其他“正測/反測”開關,“電阻率/方阻”選擇,“自動/手動”測量都通過前面板上可自鎖的按鈕開關控制。
(3)儀器測量電流分五擋,即0.01mA(10μA)、0.1mA(100μA)、1mA、10mA、100mA,讀數(shù)方法如下:“電流表”顯示1.0000時為本擋滿擋電流,在0.01mA擋顯示1.0000,表示電流為0.01mA×1.0000=0.01mA;在0.01mA擋顯示0.6282,表示電流為0.01mA×0.6282=0.006282mA。
(4)根據(jù)計算公式手動進行精確計算時,儀器“電壓表”讀數(shù)方法為:如“電壓表”顯示01000(忽略小數(shù)點),則電壓讀數(shù)為10.00mV,即當選擇不同擋位進行測量時,不論小數(shù)點移動到哪里,讀取電壓值時小數(shù)點相當于固定在000.00處。
根據(jù)《硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法》(GB/T 1552—1995),不同電阻率硅試樣所需要的電流值見表1.4。
表1.4 不同電阻率硅試樣所需電流值

根據(jù)《用單型程序直列式四點探針法測定硅外延層、擴散層、多晶硅層和離子注入層的薄膜電阻的標準試驗方法》(ASTM F374—2002)測量方塊電阻所需要的電流值見表1.5。
表1.5 標準方法測量方塊電阻所需電流值

(5)“恒流源”開關是在發(fā)現(xiàn)探針帶電壓接觸被測材料影響測量數(shù)據(jù)(或材料性能)時使用的,即先讓探針頭壓觸在被測材料上,然后開“恒流源”開關,避免接觸瞬間打火。為了提高工作效率,如探針帶電壓接觸單晶,并對材料及測量并無影響時,“恒流源”開關可一直處于開的狀態(tài)。
(6)“正測/反測”開關只有在手動狀態(tài)下才能人工操作,在自動狀態(tài)下連接其他測量系統(tǒng)時使用,因此在手動狀態(tài)下“正測/反測”開關不起作用時,先檢查“手動/自動”開關是否處于“手動”狀態(tài)。相反在使用數(shù)據(jù)處理器測量材料電阻率時,儀器必須處于“自動”狀態(tài),否則其他測量系統(tǒng)無法正常工作。
(7)在使用其他測量系統(tǒng)時,必須嚴格按照使用說明操作,應特別注意輸入數(shù)據(jù)的單位。
5.注意事項
(1)在使用標準樣品進行校準時,不能直接用手取出標準樣品,必須戴手套取樣品。
(2)測量電阻率時,必須針對同一樣品不同位置多次測試電阻率,最終結果取平均值。
學院___________專業(yè)___________
班級___________姓名___________學號___________
單晶硅電阻率的測量實驗報告
1.實驗目的
2.實驗原理
3.實驗方法
4.實驗結果
硅塊、硅片測量數(shù)據(jù)

方塊電阻測量數(shù)據(jù)
