4.14　激光調阻

4.14.1　激光調阻工藝應通過運行激光調阻機，采用脈沖激光器產生的激光束使厚膜電阻膜層局部燒熔，通過改變電阻膜層的尺寸而使阻值上升達到規定的阻值。

4.14.2　激光調阻工藝應符合下列規定：

1　宜采用機械固定配合真空吸附的方式固定待測基板；

2　宜選用內阻較小的電阻卡盤做測試探針，當基板上電阻較多、電阻尺寸較小時，可分成兩個甚至更多卡盤進行分步調阻；

3　應確定基片厚度、設置激光調阻工藝參數，編制調阻程序，應試調合格后再進行批量調阻；調阻時應隨時跟蹤所調電阻的阻值精度，當發現電阻精度有變化時，應及時分析原因并調整目標設定值；

4　無特殊要求時應優先使用“L”形切口，對電阻器有高精度、低熱噪聲要求時，宜使用掃描切割；除交指型調阻外，宜少用“—”形切口；使用特殊切割方式切割的切口，應檢查切割的長度和切割后電路剩下的有效寬度是否合格；

5　切口寬度不宜超過電阻器原寬度的一半，切口內應無電阻殘留物；切口深度應以切割部位電阻膜層熔燒干凈且不損傷共燒陶瓷基板內層布線及可靠性為準；

6　應對首件品進行測試檢查，所調阻值精度有異常時應及時查找原因，待阻值精度穩定后再繼續批量調阻；

7　測試小阻值電阻時萬用表應校零，并應校準表筆的接觸電阻值；測試高阻時，應避免環境濕度和外界的干擾引起測試誤差；

8　調阻過程中當需觀察激光工作狀態時，應佩戴專用護目鏡。

4.14.3　激光調阻操作應在氮氣或其他惰性氣體保護環境下進行。