- GB 51291-2018 共燒陶瓷混合電路基板廠設計標準
- 中華人民共和國工業和信息化部
- 757字
- 2021-04-20 11:23:29
4.12 共 燒
4.12.1 共燒工藝應在燒結爐中,在適當的氣氛下,使生瓷塊經過一系列升溫、保溫、降溫過程,排除生瓷內有機物,使生坯中的顆粒互相鍵聯,晶粒長大,晶界減少,排出氣孔,瓷體體積收縮、密度增加,同時內部及表面的導體和電阻與瓷體通過相互擴散緊密結合。
4.12.2 共燒分為低溫共燒和高溫共燒,低溫共燒宜在最高溫度為850℃~900℃空氣環境中進行,高溫共燒宜在1500℃~1850℃的氫或氮氫混合氣氛中進行。
4.12.3 使用箱式燒結爐共燒工藝應符合下列規定:
1 應接通壓縮空氣、氫氣、氮氣,排膠和燒結所用的壓縮空氣應干凈干燥,對低溫共燒陶瓷,應在空氣氣氛下排膠和燒結;對氧化鋁高溫共燒陶瓷,應在濕氫氣氛下排膠和燒結;對氮化鋁高溫共燒陶瓷,應在氮氣中排膠,在干燥的氮氣和氫氣氣氛下燒結;
2 應將生瓷塊放置在承燒板上,中間應用墊塊隔開;
3 應將承燒板放入燒結爐爐膛中的恒溫區內,并應將測溫熱電偶放置到合適位置;
4 應編制燒結程序,設置燒結溫度曲線、燒結氣氛及其流量;
5 應運行燒結程序,進行生瓷的排膠和共燒,可根據基板厚薄、尺寸大小調整排膠升溫速率和燒結升溫速率,厚基板和大基板可適當降低升溫速率,不可排膠過量;燒結過程應在燒結溫度保持一定時間,爐膛內應具有溫度均勻性,恒溫區溫差不應超過5℃,必要時可加大進氣量;
6 LTCC燒結爐溫度低于200℃時可打開爐腔進行空冷;
7 HTCC燒結爐溫度低于300℃時應先通氮氣置換爐膛內的氫氣,燒結爐內溫度低于200℃時可打開爐腔進行空冷。
4.12.4 使用連續式燒結爐共燒工藝應符合下列規定:
1 應監測燒結爐傳送速度、氣體流量、各溫區的溫度是否符合燒結工藝要求;
2 應將產品按照工藝要求放在承燒板上,中間應用墊塊隔開;
3 應將承燒板放置在推板或傳送帶上自動進入燒結爐中,并應經過不同溫區完成排膠、燒結過程自動出爐;
4 可重復放置和取出產品,連續生產。
4.12.5 承燒板表面應平整,生瓷塊不應疊放燒結。
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