2.4.2　LFPAK封裝的熱特性

當安裝到PCB時，MOSFET的熱特性依賴于兩個參數(shù)[42]。

1. 與安裝基座連接的熱阻Rth（j-mb）

數(shù)據(jù)表中，LFPAK封裝和TO-220封裝的Rth（j-mb）通常為0.5～2K/W，取決于硅芯片的尺寸，通常隨硅芯片尺寸的減小而增大。

2. 將基座安裝到環(huán)境中的熱阻Rth（j-a）

TO-220器件使用熱阻Rth（j-a）。LFPAK器件沒有使用這個值。對于TO-220器件，Rth（j-a）表示MOSFET結(jié)和環(huán)境之間的熱阻（未連接到散熱器）。由于可以在沒有散熱器的情況下安裝和使用TO-220器件，所以Rth（j-a）可用于計算獨立式TO-220器件的結(jié)溫和最大允許功耗。

對于LFPAK器件，MOSFET與漏極連接的電路依賴于MOSFET被焊接到的PCB，所以LFPAK MOSFET本身的熱阻Rth（j-a）無意義，無法測量。

熱阻可以近似表達為（忽略MOSFET的任何輻射和對流損耗）

Rth（j-a） = Rth（j-mb） + Rth（mb-a）　（2-13）

由于Rth（j-mb）通常約為1K/W，因此熱特性由PCB Rth（mb-a）的熱阻主導，差異很大，可以比Rth（j-mb）大40～100倍。

圖2-53顯示了單個LFPAK MOSFET安裝在40mm×40mm FR-4 PCB上的Rth（j-a）[42]：熱特性取決于銅焊盤尺寸以及PCB中銅層的數(shù)量和類型。如圖2-54所示，在層1和層4之間使用散熱通孔，可以優(yōu)化LFPAK器件的熱傳導。