6.5 濃度結

當導電類型相同但摻雜濃度不同的兩種晶體硅相接觸時，同樣可形成具有電偶層和自建電場的濃度結（也稱高低結或梯度結），如圖6-12所示。

對于p型硅，熱平衡時pp⁺濃度結界面處的接觸勢壘高度qV_bi2為

類似于式（6-13），再考慮在熱平衡下，多子濃度基本上等于摻雜濃度，p_p0≈N_A，，即可導出：

式中，為p⁺型區的雜質濃度，N_A為p型區的雜質濃度。

圖6-12 pp⁺濃度結能帶圖

如果在n⁺p結上再形成pp⁺結，那么n⁺pp⁺結的總內建電勢V_bi應為式（6-13）與式（6-113）之和，即

式中，V_bi1為通常pn結的內建電勢。

晶體硅太陽電池往往在靠近背面電極的地方設置高摻雜區，與基區形成濃度結，成為背面場，它不僅可以提高背面電極附近的收集效率，從而增加短路電流，還可以減小飽和電流，從而提高開路電壓。