5.8 表面復合引起的界面電流
本節討論厚度為Δx的表面薄層中單位時間、單位面積上載流子復合的情況。
在p型半導體中，按照式（5-163），表面復合率為
從連續性方程可知，少子向表面流失會引起表面復合電流。在熱平衡狀態下，穩態又無外界作用時，即無光照或外加電壓時，Gn=0，按式（5-182）可得：
對薄層Δx積分后，得到在界面位置xs處電子電流的變化量為
如果界面是n型半導體表面，
，那么表面的電子電流密度為
式中，負值表明電子電流密度Jn的方向與少子（即電子）發生表面復合的運動方向相反。
類似地，在n型半導體的表面上，空穴電流的變化量為
如果界面是p型半導體表面，
，那么表面的空穴電流為
空穴電流Jp的方向與少子（即空穴）發生表面復合的運動方向相同。
上述公式也很重要，在求解基本方程時，這些公式是太陽電池表面的邊界條件。