2.3.3　范德瓦爾斯異質結構

多種二維晶體堆垛形成的范德瓦爾斯異質結構也可以通過電子衍射進行定性分析。當參與堆垛的二維晶體材料的結構常數存在差異時，堆垛結構的HRTEM圖像會出現明顯的莫爾條紋，對應區域的電子衍射花樣中也會出現明顯不同的兩套斑點（圖2.18）。

圖2.18　WSe₂-SnS₂異質結的結構分析^［51］

（a）WSe₂-SnS₂異質結的HRTEM像；（b）WSe₂-SnS₂堆垛區域的電子衍射花樣；（c）WSe₂-SnS₂異質結的原子結構模型

湖南大學潘安練課題組通過CVD法成功合成WSe₂-SnS₂異質結構^［51］。圖2.18（a）為該異質結構的HRTEM圖像，圖中能觀察到明顯的莫爾條紋，條紋間距約為2.2nm；圖2.18（b）為堆疊區域對應的電子衍射花樣，通過衍射斑點強度分析可以得到WSe₂和SnS₂片層之間的取向關系，進而得到圖2.18（c）所示的原子結構模型。