- 橡膠納米復(fù)合材料:基礎(chǔ)與應(yīng)用
- 張立群主編
- 4374字
- 2020-05-19 11:58:13
2.2.2 理論計算與分子模擬
采用微觀液體狀態(tài)理論(microscopic liquid state theory),Schweizer等[54]通過系統(tǒng)改變納米顆粒尺寸與分子鏈重復(fù)單元尺寸之比、分子鏈鏈長、界面作用強度與納米顆粒-納米顆粒相互作用,首次研究了球形納米顆粒在聚合物熔體中的分散行為。他們研究發(fā)現(xiàn),納米顆粒間有四種典型的空間排布方式:①排空力(depletion force)吸引導(dǎo)致納米顆粒直接接觸聚集;②表面吸附聚合物層形成穩(wěn)定的空間均勻分布;③納米顆粒近程橋鏈搭接聚集;④納米顆粒通過分子鏈形成遠(yuǎn)程橋鏈搭接聚集,如圖2.27所示。

圖2.27 納米顆粒在聚合物熔體中的四種不同空間排布方式
(a)排空力吸引導(dǎo)致納米顆粒直接接觸聚集;(b)表面吸附聚合物層形成穩(wěn)定的空間均勻分布;(c)納米顆粒近程橋鏈搭接聚集;(d)納米顆粒通過分子鏈形成遠(yuǎn)程橋鏈搭接聚集
這四種不同的空間排布方式能夠通過調(diào)控界面作用強度與作用范圍,計算平均力勢能 (potential of mean force)Wcc(r)來進(jìn)行定量的表征,如圖2.28所示[55]。
Wcc(r)為負(fù)值代表納米顆粒間的相互吸引作用。很明顯,狀態(tài)(Ⅰ)代表納米顆粒間的直接接觸聚集。對于狀態(tài)(Ⅱ),第一個峰谷出現(xiàn)在顆粒間距為r=D+d時,這可直接證明納米顆粒吸附一層分子鏈聚集;第一個峰谷出現(xiàn)在顆粒間距為r=D+2d時,表明納米顆粒遠(yuǎn)程橋鏈搭接聚集。然而對于狀態(tài)(Ⅲ),Wcc(r)隨距離的變化沒出現(xiàn)負(fù)值,表明納米顆粒均勻分散。不過,以上理論研究集中在理想的情況,即無限稀釋的情況,只研究兩個納米顆粒的情況。然而在真實的橡膠納米復(fù)合材料中,納米顆粒都具有一定的含量,由于多體效應(yīng)(many-body effect)而不同于兩個納米顆粒的情況。接著Schweizer等研究發(fā)現(xiàn),納米顆粒填充分?jǐn)?shù)的增大誘導(dǎo)體系由分子鏈搭接聚集或均勻分布轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米顆粒間的直接聚集。納米顆粒填充分?jǐn)?shù)φ隨界面相互作用強度εpc的變化在圖2.29中顯示[56]。

圖2.28 平均力勢能Wcc(r)隨顆粒間距(inter-particle distance)變化的情況,表征納米顆粒四種不同的空間排布方式
D代表納米顆粒的直徑;d代表分子鏈重復(fù)單元的尺寸;r代表納米顆粒質(zhì)心之間的間距

圖2.29 納米顆粒填充分?jǐn)?shù)φ隨界面相互作用強度εpc的變化相圖
研究結(jié)果進(jìn)一步表明,隨著納米顆粒填充分?jǐn)?shù)的增加,中間的相容區(qū)逐漸減小,該效應(yīng)與增加分子鏈鏈長、納米顆粒間相互作用力、納米顆粒與聚合物重復(fù)單元尺寸比是一致的。
隨著最近我國材料基因組計劃的提出,在材料研發(fā)上將實現(xiàn)由“經(jīng)驗指導(dǎo)實驗”的傳統(tǒng)模式向“理論與模擬預(yù)測、實驗驗證”的新模式的轉(zhuǎn)變。計算機模擬技術(shù)在分子水平上(molecular scale)有蒙特卡羅模擬(格子模型與非格子模型)、分子動力學(xué)模擬,微觀水平上(microscale)有布朗動力學(xué)、耗散粒子動力學(xué),亞觀甚至宏觀水平上(mesoscale and macroscale)包括微觀力學(xué)、有限元分析。計算機模擬技術(shù)的基本原理是通過構(gòu)筑一套模型、算法與力場,來模擬體系的熱力學(xué)與動力學(xué)、平衡態(tài)與非平衡態(tài)過程,最后通過統(tǒng)計力學(xué)計算得到宏觀的物理量。計算機模擬技術(shù)在全面準(zhǔn)確建立材料組成-微觀結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系上具有明顯的優(yōu)勢,可大大節(jié)省材料的研發(fā)周期與研發(fā)成本。另外,超大規(guī)模計算機模擬技術(shù)的發(fā)展(包括算法與計算機硬件)極大地擴展了研究體系的時間與空間尺度。
為驗證這些理論預(yù)測,劉軍等采用粗粒度分子動力學(xué)模擬A(coarse-grained molecular dynamics simulation)來研究納米顆粒在聚合物分子鏈中的結(jié)構(gòu)與相行為[57]。他們固定納米顆粒體積分?jǐn)?shù)為φ=7.28%,納米顆粒直徑為4σ,構(gòu)成聚合物分子鏈的直徑為σ。通過改變界面相互作用強度εnp,來計算納米顆粒間的徑向分布函數(shù)g(r),如圖2.30(a)所示。在低界面作用(εnp=0.1與1.0)時,納米顆粒之間出現(xiàn)直接接觸聚集,表現(xiàn)為在納米顆粒間距r=4σ時出現(xiàn)峰值。在界面作用εnp=5.0與12.0時,表現(xiàn)為在納米顆粒間距為r=5σ與6σ時的峰值增大,表明納米顆粒通過吸附分子鏈誘導(dǎo)聚集的程度增大。然而在界面作用εnp=2.0時,沒有出現(xiàn)明顯的峰值,表明是均勻的納米顆粒分散狀態(tài)。該結(jié)果進(jìn)一步被圖2.30(b)顯示的快照所驗證。為進(jìn)一步定量分析,劉軍等定量計算了周圍鄰近的納米顆粒平均數(shù)與第二維里系數(shù)B2隨著界面作用εnp的變化情況,如圖2.30(c)所示。
很明顯,在界面相互作用等于2.0時均出現(xiàn)極值,也再次定量驗證了最佳分散的存在。由圖2.30(c)可計算得到平均力勢能。在圖2.30(d)中,在低界面或強界面作用情況下,平均力勢能存在較明顯的峰值,而在中等界面作用下相對平穩(wěn),證明均勻分散的存在。

圖2.30 (a)不同界面作用強度下納米顆粒-納米顆粒間徑向分布函數(shù)g(r)(右邊的小圖顯示的是界面相互作用εnp=2.0與5.0時的情況);(b)不同界面作用下納米顆粒分散的快照圖(紅色小球代表納米顆粒,藍(lán)色小點代表分子鏈);(c)周圍鄰近納米顆粒數(shù)目與第二維里系數(shù)隨界面相互作用強度的變化;(d)不同界面作用下的平均力勢能
圖中σ為模型尺寸參數(shù)
同時,引入AB兩嵌段共聚物(block-copolymer,BCP)也能改善納米顆粒在聚合物納米復(fù)合材料中的分散(圖2.31)。其中,A嵌段與納米顆粒相互吸引,B嵌段與納米顆粒間相互排斥。調(diào)整嵌段聚合物中A嵌段的占比能有效改善復(fù)合材料中納米顆粒的分散,降低填料間相互作用(圖2.32)。通過提升納米顆粒-嵌段聚合物界面相互作用也能極大改善填料分散性(圖2.33)。實現(xiàn)分散的主要驅(qū)動力包括:①與納米顆粒親和的A嵌段與納米顆粒的界面相互作用;②B嵌段及聚合物鏈對A嵌段的牽引拖曳。形成的自組裝體系中納米顆粒存在最佳填充分?jǐn)?shù)并與A嵌段存在最佳相互作用強度[58]。

圖2.31 納米顆粒/AB兩嵌段共聚物/聚合物復(fù)合材料示意圖
顏色相同的珠子間相互作用為吸引勢,不同顏色的珠子間為排斥勢

圖2.32?。╝) 嵌段聚合物中A嵌段(與納米顆粒相互吸引)的占比fA對體系中納米顆粒徑向分布函數(shù)g(r)的影響;(b) 嵌段聚合物中A嵌段(與納米顆粒相互吸引)的占比對體系中納米顆粒間相互作用能的影響

圖2.33?。╝)嵌段聚合物中A嵌段與納米顆粒的相互作用強度對體系中納米顆粒徑向分布函數(shù)g(r)的影響;(b) 嵌段聚合物中A嵌段與納米顆粒的相互作用大小對體系中納米顆粒間相互作用能的影響
相對于球形納米顆粒,非球形納米顆粒依然存在類似的分散規(guī)律,即排空力誘導(dǎo)聚集、均勻穩(wěn)定分散與橋鏈誘導(dǎo)聚集只是定性地依賴形狀。例如,對于棒狀納米顆粒,通過調(diào)節(jié)聚合物-納米棒間的吸引勢相互作用強度對填料分散具有類似的效果。通過改變納米棒(長度L=5.0σ)與填料相互作用的強度(ε=1.0~12.0),從徑向分布函數(shù)、鄰近粒子數(shù)目及填料間相互作用能都能看出,在中等作用強度(ε=2.0)下,納米棒具有最佳的分散狀態(tài)(圖2.34);在較弱相互作用下納米棒容易團聚,而較強相互作用下,納米棒間又易發(fā)生橋接從而使分散變差(圖2.35)[59]。

圖2.34 (a)不同納米棒-聚合物鏈相互作用強度下的納米棒徑向分布函數(shù)g(r);(b)不同作用強度體系中納米棒分散情況示意圖[其中,藍(lán)色代表基體鏈(d=1.0σ),紅色為納米棒結(jié)構(gòu)];(c)不同強度的納米棒-基體相互作用下納米棒鄰近范圍(L=2.5σ)內(nèi)粒子數(shù)和填料間相互作用能的比較

圖2.35 逐漸增大納米棒與聚合物吸引勢的相互作用強度,棒狀填料分散呈現(xiàn)“易團聚-分散良好-橋接分散變差”變化情況
Patra等[60]采用粗粒度分子動力學(xué)模擬研究了各向異性納米顆粒(立方體與四面體)在聚合物基體中的聚集與分散行為,如圖2.36所示。對于四面體,在低界面作用時,納米顆粒形成聚集體,在填充分?jǐn)?shù)低于2.3%時其形狀像規(guī)則的球形,在更高填充分?jǐn)?shù)下將形成不規(guī)則的片狀結(jié)構(gòu)。對于立方狀納米顆粒,隨著界面作用強度的增大,立方狀納米顆粒分散更均勻;但在界面相互作用大于2.0時,納米顆粒通過吸附分子鏈形成橋鏈誘導(dǎo)聚集;在低界面作用下,形成三種不同規(guī)則結(jié)構(gòu),例如三維立方晶格、一維四方柱與二維平面結(jié)構(gòu)。與四面體狀納米顆粒類似,立方狀納米顆粒在中等界面作用下存在最佳分散,而在高界面作用下出現(xiàn)吸附分子鏈形成橋鏈誘導(dǎo)納米顆粒聚集的情況。


圖2.36 (a)由98個小球構(gòu)成的立方狀納米顆粒(■ 立方陣列組裝;● 方柱自組裝;▲ 片狀四方陣列組裝;★ 分散;◆ 納米顆粒通過分子鏈搭接);(b)由34個小球構(gòu)成的四面體狀納米顆粒(■類球狀規(guī)則結(jié)構(gòu);▲類片狀不規(guī)則結(jié)構(gòu);★分散 ; ◆納米顆粒通過分子鏈搭接)
圖片中虛線用來區(qū)分不同的結(jié)構(gòu),并不是熱力學(xué)邊界線
另外,通過積分方程理論,Tripathy等 [61]也發(fā)現(xiàn),對于納米桿增強的聚合物納米復(fù)合材料,與球狀顆粒在聚合物基體中的行為一樣,納米桿也存在四種不同分散狀態(tài)(圖2.28),這些分散狀態(tài)依賴于納米桿的長徑比、表面粗糙度與桿的截面積,如圖2.37所示。

圖2.37 納米桿的空間分布
另外,Schweizer等[56]采用聚合物參考相互作用格子模型(PRISM)液態(tài)理論,研究了準(zhǔn)一維(桿狀)、二維(片狀)與三維(立方狀)納米顆粒的結(jié)構(gòu)與相行為,如圖2.38所示。相似地,對于分子鏈弱吸引納米顆粒的體系,熵耗竭效應(yīng)將誘導(dǎo)納米顆粒發(fā)生聚集;對于分子鏈強吸引納米顆粒的體系,納米顆粒吸附分子鏈形成橋鏈誘導(dǎo)聚集;而在中等界面作用情況下,由于納米顆粒表面吸附一層分子鏈,會形成均勻分散的情況。

圖2.38 桿狀、片狀與立方狀納米顆粒
對于不同形狀納米顆粒填充的聚合物納米復(fù)合材料,也可通過對基體鏈進(jìn)行末端官能化、改變相互作用官能鏈段對納米顆粒的相互作用或改變官能化基團負(fù)載在基體鏈段上的位置,調(diào)節(jié)納米顆粒的分散狀態(tài)。通過建立聚合物復(fù)合C60、碳納米管和石墨烯的聯(lián)合原子模型(圖2.39),改變填料與官能化位點的相互作用強度,發(fā)現(xiàn)相對于碳納米管及石墨烯的分散效果,將基體鏈雙末端官能化對改善C60分散性的作用最大,可以使得填料間相互作用能最低,如圖2.40所示[62]。

圖2.39?。╝)三種不同官能化位置的聚合物鏈段示意圖(數(shù)字代表官能化位點在基體鏈上的位置);(b)C60、(c)碳納米管和(d)石墨烯片層的聯(lián)合原子模型

圖2.40 (a)C60、(b)碳納米管和(c)石墨烯片填充體系中,填料間相互作用能(Ufiller-filler)隨官能化點與填料相互作用增大的變化趨勢
1-200、41-161、81-121分別代表基體鏈的官能化的位置;1cal=4.18J
除了不同形狀納米顆粒在聚合物分子鏈中分散的表征,劉軍等還采用分子動力學(xué)模擬研究了納米顆粒的聚集行為[57]。填料聚集對聚合物性能影響重大,例如混煉膠停放會變硬,必須返煉,硫化過程中也會存在納米顆粒的聚集。一般通過強化界面化學(xué)結(jié)合、降低停放溫度、縮短停放時間、減少硫化焦燒期與早期預(yù)交聯(lián)等,均可抑制納米顆粒在橡膠中的聚集。
如圖2.41所示,納米顆粒聚集的驅(qū)動力來自于球形納米顆粒之間強的相互作用力(εnn=6.0)。圖2.41(a)清楚地顯示了納米顆粒從分散到聚集的過程。同時,在聚集過程中我們計算追蹤聚合物-填料與填料-填料相互作用能的變化,在聚集達(dá)到平衡時作用能保持穩(wěn)定,如圖2.41(b)所示。

圖2.41?。╝)從分散到聚集的示意圖;(b)在聚集過程中聚合物-填料與填料-填料相互作用能隨聚集時間變化的示意圖

圖2.42 (a)聚集過程中溫度對聚合物-填料總的相互作用能的影響;(b)聚集達(dá)到平衡的時間與溫度的關(guān)系
同時,模擬了溫度對聚集過程聚合物-填料總的相互作用能的影響,如圖2.42(a)所示。為定量表征聚集的速率,計算出聚合物與填料總的相互作用能隨時間的變化情況,其中模擬的溫度分別為T=1.0、2.0與4.0??梢缘玫骄奂_(dá)到平衡的時間te,并發(fā)現(xiàn)聚集達(dá)到平衡的時間與溫度呈現(xiàn)Arrhenius關(guān)系,見圖2.42(b)。