鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管
鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管針對(duì)后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴(yán)重的功耗問(wèn)題，簡(jiǎn)要介紹芯片功耗、工作電壓和場(chǎng)效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過(guò)解析鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機(jī)理，闡明鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)對(duì)于突破后摩爾時(shí)代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。為明確鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，本書(shū)講述該領(lǐng)域各個(gè)方面的代表性研究成果，一方面闡述已經(jīng)取得的成果，另一方面希望通過(guò)剖析亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，指明未來(lái)發(fā)展方向。本書(shū)主要內(nèi)容包括氧化鉿基鐵電材料，鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念及其發(fā)展歷程、基本電學(xué)特性、電容匹配原則、負(fù)微分電阻（NDR）效應(yīng)以及頻率響應(yīng)特性等。此外，本書(shū)還詳細(xì)闡述了鐵電負(fù)電容效應(yīng)存在性研究及其本質(zhì)探索的相關(guān)內(nèi)容。本書(shū)是一本理論與實(shí)踐并重的專(zhuān)業(yè)技術(shù)圖書(shū)，可供從事新型低功耗器件研究及鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究的科研工作者和相關(guān)專(zhuān)業(yè)的高校研究生閱讀參考。
·9.8萬(wàn)字
