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高遠 陳橋梁編著
全部作品
本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的最新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiCMOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈沖測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。
高遠 陳橋梁編著 ·電子通信 ·11.3萬字
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