登錄???|???注冊
高遠 陳橋梁編著
全部作品
本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的最新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiCMOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈沖測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。
高遠 陳橋梁編著 ·電子通信 ·11.3萬字
網站合作：傅女士 fuli.a@yuewen.com
雙新用戶（設備和賬號都新為雙新用戶）下載并登錄后1-20天最多可免費領取20本會員/單訂書且可免費讀10天
Copyright (C) 2025 www.cqxianglaokan.com All Rights Reserved 上海閱文信息技術有限公司 版權所有 粵公網安備 44030002000001號 ???? 增值電信業務經營許可證：粵B2-20090059???? 互聯網ICP備案號： 粵B2-20090059-5 ???? 舉報電話：010-59357051 營業執照 網絡文化經營許可證：滬網文 (2023) 3296-228號 網絡出版服務許可證：（署）網出證（滬）字第055號????互聯網宗教信息服務許可證：滬（2023）0000015
QQ閱讀手機版
