2　化學氣相沉積

化學氣相沉積是一種化學氣相生長法。簡稱CVD（ChemicalVaporDeposition）技術。它是將含有組成薄膜元素的一種或幾種化合物氣化后輸送到基片，借助加熱、等離子體、紫外線或激光等作用，在基片表面進行化學反應（熱分解或化學合成）生成所需薄膜的一種方法。由于CVD是一種化學反應方法，可用來制備多種薄膜，如各種單晶、多晶、非晶，單相或多相薄膜。CVD的用途很廣，如用于微電子方面的Si3N4,SiO2,AlN,GaAs,InP等薄膜，用于結構材料方面的許多硬質膜，如Al2O3,TiN,TiC,Ti（CN）,金剛石膜等，還有光學材料（光學纖維）、醫用材料等，以及反應堆材料,宇航材料,防腐抗蝕、耐熱耐磨膜層。