1.2 功率半導(dǎo)體器件模型

功率二極管、功率MOSFET（Power metal oxide solid field effect transistor）和IGBT（insulated gate bipolar transistor）是常用的車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件類型，它們的PSIM模型主要模擬器件的穩(wěn)態(tài)性能，相應(yīng)的特性表征有諸如閾值電壓和通態(tài)電阻等。