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1.2 恒定電場的基本分析

電荷的定向運(yùn)動形成電流,電流在其周圍空間產(chǎn)生電場。恒定電流生成的電場稱為恒定電場。

1.2.1 電流與電流密度

電流用i表示,它的定義如下:

式中,Δq是Δt時間內(nèi)流過橫截面S的電荷量,其單位為安(A)。若空間電荷分布不隨時間變化,此時的電流稱為恒定電流,用I表示。為了描述電流在空間的分布狀況,引入電流密度的概念。

1.體電流密度J

電荷在一定的體積空間內(nèi)流動形成的電流稱為體電流,用體電流密度J來描述其在空間的分布。如圖1.9所示,設(shè)點(diǎn)r處正電荷運(yùn)動方向?yàn)閑v,垂直于ev方向取一面元ΔS,若流過ΔS的電流為ΔI,則定義

為點(diǎn)r處的體電流密度,單位為安/米2(A/m2)。它表示點(diǎn)r處通過垂直于電荷運(yùn)動方向的單位面積上的電流大小和方向。

圖1.9 體電流分布示意圖

若正電荷運(yùn)動速度為v,面元ΔS垂直于v,電荷體密度為ρ,則Δt時間內(nèi)通過ΔS的電荷流過的距離為vΔt,流過ΔS的電荷量為Δq=ρvΔtΔS,代入式(1.2.2),有

J=ρv  (1.2.3)

由J可求出通過任一橫截面S的電流為

2.面電流密度JS

電荷在一個厚度可忽略不計(jì)的面上流動形成的電流稱為面電流,可用面電流密度JS描述其分布。如圖1.10所示,在垂直于電流方向上取一個線元Δl,設(shè)流過Δl的電流為ΔI,則定義

為點(diǎn)r處的面電流密度,單位為安/米(A/m)。

圖1.10 面電流分布

同理,可求得

JSSv  (1.2.6)

式中,ρS為面電荷密度;v為面電荷運(yùn)動速度。

若已知曲面S上的面電流密度JS,l為S上的任意有向曲線,設(shè)JS與l間的夾角為α,則垂直穿過dl的電流為dI=dlJSsinα=|dl×JS|,故可求得穿過曲線l的電流為

式中,en為曲面S的單位法向矢量。

3.線電流I

電荷在一條線上流動形成的電流稱為線電流,用I表示。同理有I=ρlv,其中ρl為線電荷密度,v為正電荷運(yùn)動速度。

1.2.2 電流連續(xù)性方程

實(shí)驗(yàn)表明,電荷是守恒的,它只能由一個物體流向另一個物體,不能被創(chuàng)造,也不會消失。因此,在密度為J的電流分布空間,任取一封閉曲面S,設(shè)S所包圍的體積為V,根據(jù)電荷守恒定律,單位時間內(nèi)流出閉合面S的電荷量應(yīng)等于體積V內(nèi)電荷的減少量。即

式中,q為體積V內(nèi)的總電荷量。上式右端積分是在固定體積V上進(jìn)行,故積分限與時間無關(guān),可將積分和微分的順序調(diào)換,同時應(yīng)用散度定理,可得

因式中S和其所包圍的V都是任意的,因此上式成立時應(yīng)有

式(1.2.8)和式(1.2.9)分別稱為電流連續(xù)性方程的積分形式和微分形式。

1.2.3 恒定電場的基本方程

若電荷分布不隨時間變化,即,則構(gòu)成了恒定電流場。此時,式(1.2.8)和式(1.2.9)的電流連續(xù)性方程可改寫為

▽·J=0  (1.2.11)

這表明從任意閉合面穿出的電流恒為0,即恒定電流場是一個無散度的場。

要在導(dǎo)電介質(zhì)中維持恒定電流,就必須存在恒定電場,電場力做功使電荷維持定向運(yùn)動形成電流。若導(dǎo)電介質(zhì)內(nèi)電荷體密度為ρ,電場為E,則單位體積內(nèi)電荷所受的電場力為ρE。又若電荷在電場力作用下以速度v運(yùn)動,則單位時間內(nèi)電場力對單位體積內(nèi)電荷所做的功為

p=ρE·v=E·J  (1.2.12)

電場提供的功率被轉(zhuǎn)化成焦耳熱能消耗在導(dǎo)電介質(zhì)的電阻上,故p稱為導(dǎo)電介質(zhì)內(nèi)單位體積內(nèi)的焦耳損耗,單位為瓦/米3(W/m3)。式(1.2.12)稱為焦耳定律的微分形式。

實(shí)驗(yàn)表明,在線性、各向同性的導(dǎo)電介質(zhì)中,J和E之間存在線性關(guān)系:

J=σE  (1.2.13)

式中,σ為介質(zhì)的電導(dǎo)率,單位為西/米(S/m)。一般金屬材料的電導(dǎo)率σ是一個常數(shù),但隨溫度變化。

雖然電流是運(yùn)動電荷形成的,但在恒定電流情況下,電荷分布并不隨時間變化。因此,可以認(rèn)為恒定電場與靜電場具有相同的性質(zhì),即它也是保守場,電場強(qiáng)度E沿任一閉合回路的線積分恒為0。

因此,恒定電場的基本方程總結(jié)為

輔助方程為  J=σE

導(dǎo)電介質(zhì)中,σ越大,介質(zhì)的導(dǎo)電性能越好,當(dāng)σ→∞時,稱為理想導(dǎo)體。由輔助方程J=σE可看出,σ→∞時,E→0。因此理想導(dǎo)體內(nèi)電場E處處為0,而非理想導(dǎo)體內(nèi),E不為0。這點(diǎn)與靜電場不同,靜電場中所有導(dǎo)體內(nèi)的E都為0。

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