第2章 共模電流的形成與EMC問題實(shí)質(zhì)解讀

為了形成一種產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)分析方法，本章的內(nèi)容是至關(guān)重要的。如果說第4～6章是在解讀產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)分析方法是如何形成的，那么本章就是在解釋為什么第4～6章的內(nèi)容是成立的，這都源于EMC測(cè)試本質(zhì)的解讀與總結(jié)。讓產(chǎn)品的EMC測(cè)試通過是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行EMC設(shè)計(jì)的最終目標(biāo)，所有的EMC設(shè)計(jì)方法都源于EMC測(cè)試原理。以下幾點(diǎn)結(jié)論是本章需要解讀的：

● 產(chǎn)品電路中功能信號(hào)的傳遞是以差模方式傳遞的，而EMC測(cè)試（抗干擾測(cè)試與EMI測(cè)試）時(shí)相關(guān)的干擾信號(hào)傳遞方式是以共模為主的，共模問題又因在PCB之外，因而變成疑難問題。

● 典型的EMI問題是差模的功能信號(hào)轉(zhuǎn)換成共模電壓或共模電流的過程。

● ESD測(cè)試、大電流注入（BCI）測(cè)試、EFT/B測(cè)試、輻射抗擾度測(cè)試等EMC測(cè)試項(xiàng)目，雖是不同的測(cè)試項(xiàng)目，但它們只是干擾源表現(xiàn)形式和注入方式不同，對(duì)電路的干擾原理都是一樣的，通常是以共模的方式注入，進(jìn)而轉(zhuǎn)為差模電壓，最終與產(chǎn)品電路中功能正常的電平疊加。

● 可以把“共模電流”作為EMC測(cè)試的主線，當(dāng)EMI共模電流流入產(chǎn)品中的等效發(fā)射天線或EMC測(cè)試時(shí)的LISN（傳導(dǎo)騷擾的測(cè)量設(shè)備）時(shí)，EMI問題就產(chǎn)生了；當(dāng)抗干擾測(cè)試的共模電流注入PCB時(shí)，抗干擾問題就產(chǎn)生了。

● 產(chǎn)品機(jī)械架構(gòu)的EMC設(shè)計(jì)就是控制“共模電流”的大小與路徑。