4.3 化學鍍銅工藝

4.3.1 優良的化學鍍銅工藝應具有哪些特點？

1）當溫度降至室溫時，化學鍍應能停止。

2）副產品積累少，鍍液壽命長。

3）鍍液中Cu²⁺含量較低，因此帶出損失少。

4）鍍液對環境污染小。

5）發生的副反應很少。

6）適用于對堿敏感的基體。

7）很好的穩定性和較長的保存期。

8）廢水處理簡單。

9）對于大多數基體有很好的結合力。

4.3.2 化學鍍銅液的主鹽由什么組成？

化學鍍銅液的主鹽大多采用硫酸銅，在鍍液中的硫酸銅濃度為0.07mo1/L時，鍍速達到最大值。當濃度進一步上升的時候，溶液的穩定性下降。隨著鍍液的老化，其中生成的硫酸鈉的濃度增加導致溶液性能下降。也有人采用CuCl₂作為化學鍍銅的主鹽來提高鍍液的使用壽命。另外，硫酸鹽的積累將導致鍍液黏度的上升，致使鍍層質量下降。也有以氧化銅為主鹽的鍍液，在特殊的場合也有人采用酒石酸銅、堿式碳酸銅、硝酸銅等作為化學鍍銅的主鹽。

4.3.3 影響化學鍍銅速率的因素有哪些？

化學鍍銅溶液中銅鹽含量越高，鍍速越快；但是當其含量繼續增加達到某一定值后，鍍速變化不再明顯。銅鹽濃度對于鍍層性能的影響較小，然而銅鹽中的雜質可能對鍍層性質造成很大的影響。Cu²⁺及甲醛濃度對化學鍍銅速率的影響分別如圖4-9、圖4-10所示。

4.3.4 甲醛的還原作用與鍍液的pH值有什么關系？

甲醛的還原作用與鍍液的pH值有關，只有在pH值大于11的堿性條件下，它才具有還原銅的能力。鍍液的pH值越高，甲醛還原銅的作用越強，鍍速越快。但是鍍液的pH值過高，容易造成鍍液的分解，降低了鍍液的穩定性。因此，大多數化學鍍銅溶液的pH值都控制在12左右。不同pH值甲醛濃度對化學鍍銅速率的影響如圖4-11所示。

從圖4-11中可以看出，甲醛濃度在2g/L以下時，增加鍍液中的甲醛濃度，可顯著提高化學鍍銅速率，幾乎呈線性增加。在甲醛濃度較大時，化學鍍銅速率變化不再明顯。而且濃度大時，鍍液的穩定性隨之下降，不利于操作。

4.3.5 鍍液中常用的絡合劑有哪些？

在鍍液中，加入適量的絡合劑，形成穩定的絡合物，有利于細化晶粒，也有利于提高沉積速率及溶液的穩定性，改善化學鍍層的性能。常用的絡合劑有EDTA、乙二胺、三乙醇胺等。堿性溶液中含不同絡合劑時溶液氧量隨時間的變化如圖4-12所示。

圖4-9 Cu²⁺濃度對化學鍍銅速率的影響（60℃HCHO16mL/L）

注：甲醛體積分數為1.6%，溫度為60℃。

圖4-10 甲醛濃度對化學鍍銅速率的影響

圖4-11 不同pH值下甲醛濃度對化學鍍銅速率的影響

圖4-12 堿性溶液中含不同絡合劑時溶解氧量隨時間的變化

Ⅰ型—乙二胺，四乙基二胺，三亞乙基四胺，苯胺，酒石酸鹽 Ⅱ型—三乙醇胺，亞硝基氯代乙酸 Ⅲ型—EDTA，二亞乙基三乙胺五乙酸（DTPA）

可以看出，采用EDTA為絡合劑，氧化銅Cu₂O生成大為減少，鍍液使用壽命大大延長。常用的絡合劑有酒石酸鉀鈉、乙二胺四乙酸四鈉，還有檸檬酸、三乙醇胺等。

4.3.6 常見的Cu⁺和Cu²⁺絡合劑、絡離子形式及穩定常數是什么？

常見的Cu⁺和Cu²⁺絡合劑、絡離子形式及穩定常數如表4-5所示。

表4-5 Cu⁺和Cu²⁺常見絡合劑

在以上絡合劑中，酒石酸是最早使用、現仍被廣泛使用的絡合劑，特別適合于室溫和低沉積速率時使用，也較易進行污水處理，但不適于高沉積速率體系。EDTA鹽也是化學鍍銅溶液廣泛使用的絡合劑，其污水處理比較容易，沉積速率快，但EDTA價格昂貴。三乙醇胺作為絡合劑，可獲得極快的沉積速率，但鍍層外觀粗糙呈灰色。檸檬酸鹽作為絡合劑的沉積速率小于三乙醇胺，大于酒石酸鹽類絡合劑的沉積速率，但其鍍液極易使表面鈍化，并隨pH值增高鈍化加快，從而降低沉銅速率?？梢?，EDTA和酒石酸鹽適用于化學鍍銅。目前化學鍍銅液所使用的絡合劑，正向混合絡合劑方向發展，如用酒石酸鹽代替部分價昂的EDTA可降低成本，提高經濟效益。

4.3.7 酒石酸鹽和EDTA鍍液的沉銅速率有什么不同？

（1）酒石酸鹽 化學鍍溶液中銅離子的分布如圖4-13所示。從圖中可看出，在化學鍍銅溶液中，當酒石酸鹽濃度超過10^-2mol/L，鍍液基本沒有游離銅離子存在。

在酒石酸鉀鈉化學鍍銅溶液中，改變酒石酸鉀鈉與二價銅離子的濃度（mol/L），在無添加劑時，對沉積速率有很大影響；有添加劑時，影響不大。設R=c（酒石酸鉀鈉）/c（Cu²⁺），當R＞3時，沉銅速率隨R值增大而提高。R=6時，鍍液自然分解（見圖4-14）。

當R＜3時，沉銅速率雖有所提高，但鍍液的穩定性變差。

（2）EDTA鍍液 與酒石酸鹽溶液相比，其沉銅速率快。EDTA鍍液在有、無添加劑時濃度對沉積速率和鍍層外觀都沒有大的影響。Cu-EDTA絡合物的形體分布如圖4-15所示。從圖中看出，在化學鍍銅溶液中，隨著EDTA二鈉鹽濃度的增加，銅絡離子的含量也越來越多，當其超過10^-16mol/L時，基本上不存在游離銅離子。

圖4-13 化學鍍溶液中銅離子的分布

圖4-14 酒石酸鉀鈉與二價銅離子的濃度比對沉積速率的影響

注：CuSO₄·5H₂O濃度為0.6mol/L，HCHO濃度為0.5mol/L，pH值為12.5，溫度為25℃。

4.3.8 三乙醇胺、檸檬酸鹽、甘油、ATMP作為絡合劑時沉銅速率的區別是什么？

（1）甘油 用甘油作為絡合劑的鍍銅液的沉銅速率隨甘油濃度增加而有所減少。沉銅速率與pH值的關系和酒石酸鹽液相反，即隨pH值增加而降低。這是因為在甘油鍍液中，pH值高時表面易鈍化，當pH值=13.3時，由于鍍件表面鈍化能使沉銅過程中斷。產生這種現象的原因是絡合劑本身將Cu²⁺還原成Cu₂O所導致。

（2）三乙醇胺 使用三乙醇胺作為絡合劑，只有當pH值大于12時，才能生成鍍層，沉銅速率極快。鍍層外觀粗糙呈灰色。當pH值小于12.5時，表面易鈍化，沉銅速率逐漸降低。

圖4-15 Cu-EDTA絡合物的形體分布

（3）ATMP 用ATMP作為Cu²⁺絡合劑鍍液的沉銅速率與c（ATMP）/c（Cu²⁺）之比有關。當比值為（2～3）︰1時，沉銅速率穩定；比值大于（2～3）︰1，沉銅速率下降。

（4）檸檬酸鹽 檸檬酸鹽溶液的沉積速率小于三乙酸胺，大于酒石酸鍍液。

4.3.9 什么是混合絡合劑？

混合絡合劑的組成應滿足兩個條件：

1）首先各種絡合劑的物質的量之和應與單一絡合劑配方中的物質的量相等。

2）其次，各種絡合劑的混合比例應適當，否則對沉銅速率有較大影響。在酒石酸鉀鈉鍍液中，即使加入少量的EDTA，也會使沉銅速率提高（見圖4-16）。但是，當EDTA的添加量增加到某一數值時，沉銅速率就趨于穩定。

4.3.10 甲醛為還原劑的化學鍍銅中的穩定劑有哪些種類？

當甲醛為還原劑時，化學鍍銅過程中穩定劑的種類有以下幾種：

（1）含硫化合物 無機含硫化合物如硫代硫酸鹽，由于它的使用量非常低，僅為0.5×10^-6mg/L，就會使化學鍍反應完全停止。因此，在使用時要注意控制添加量。Na₂S的用量為0.01～0.2mg/L。有機硫化合物如烷基巰基化合物，[CH₃（CH₂）_nSH]（此處n=7～15），它的特點是在堿性溶液中相當穩定，適用于甲醛作為還原劑的化學鍍銅溶液，使用濃度為0.0001～0.001mol/L。十二烷基硫醇用量為100mg/L。

（2）含氮雜硫化合物 某些含氮雜硫化合物能與Cu⁺形成四面體絡合物，而不與Cu²⁺絡合，例如鄰菲咯琳（1，10-菲咯琳）、2，2′-哇琳、2，9-二甲基菲咯琳等。此外，聯吡啶也有菲咯琳的類似作用，但比菲咯琳的效果好。所有上述的含氮化合物，都只能少量地使用，否則不僅會極大地降低沉銅的速率，而且還只能獲得色澤較暗的鍍層。

（3）含有硫和氮的化合物 這類含硫和氮的化合物有硫脲、2-巰基苯并噻唑（2-MBT）、繞丹酸等。2-巰基苯并噻唑、繞丹酸對鍍液的穩定性有較好的效果，但對沉銅速率影響很大，使用濃度低，不能起到穩定鍍液之功能；使用濃度高，會中止沉銅反應。2-巰基苯并噻唑的使用量為（5～80）×10^-6mg/L，過量的2-MBT還會使銅鍍層變暗。繞丹酸使用量為（1～50）×10^-6mg/L，它可使2-MBT的使用獲得鍍層不發暗的優點，正常情況下冬天宜采用使用濃度的下限，夏天用上限。

（4）硒化合物 與硫化合物具有同樣的效果，同時，它們還具有在高的pH值下較穩定的優點，使用含量接近硫化物時，也不會使鍍層發黑，例如苯基硒乙酸、硒代氰酸鹽和硒代氰酸。由于這些化合物價格昂貴和且具有劇毒，選用時應當慎重。

圖4-16 在酒石酸鹽鍍液中加入EDTA的濃度與沉積速率的關系

4.3.11 甲醛為還原劑的化學鍍銅中常見的穩定劑及其用量是什么？

常見的化學鍍銅的穩定劑及其用量如表4-6所示。

表4-6 化學鍍銅穩定劑及其用量

（續）

4.3.12 在酒石酸鹽溶液中加入α，α′聯吡啶、二乙基二硫代氨基甲酸鈉、氰化鉀等化合物對沉積的影響有哪些？

在酒石酸鹽溶液中加入α，α′聯吡啶、二乙基二硫代氨基甲酸鈉、氰化鉀等化合物，對沉積的影響如圖4-17和表4-7所示。

圖4-17 酒石酸鹽鍍液中添加劑的濃度對沉積的影響

1—α，α′-聯吡啶 2—二乙基二硫代氨基甲酸鈉 3—氰化鉀

表4-7 添加劑對EDTA鍍液沉積速率的影響

4.3.13 甲醛為還原劑的化學鍍銅中加速劑的種類和作用是什么？

一般作為加速劑的有：結構為N（R¹R²）₃的一元胺、銨鹽、鎳鹽、氯化物和鎢酸鹽等。在CuCl₂作為主鹽（0.06mo1/L）、HCHO作為還原劑（18mL/L）、N，N，N′，N’-四（2-羥丙基）乙二胺作為絡合劑（0.08mo1/L）、pH值為12.5，溫度為55℃的鍍液中，所用加速劑濃度與沉積速率的關系如表4-8所示。

表4-8 所用加速劑濃度與沉積速率的關系

4.3.14 甲醛為還原劑的化學鍍銅中鍍液pH值與沉積速率有什么關系？

鍍液pH值與沉積速率的關系如圖4-18所示。由圖可見，鍍液的pH值小于12時，化學鍍銅反應基本上不進行；pH值大于12反應可能進行，隨鍍液pH值增大，化學鍍銅沉積速率迅速增加；pH值大于13.5后，鍍液開始自動分解。

4.3.15 甲醛為還原劑的化學鍍銅中鍍液溫度與化學鍍銅沉積速率的關系是什么？

鍍液溫度與化學鍍銅沉積速率的關系如圖4-19所示。溫度升高化學鍍銅沉積速率迅速增加，但同時鍍液穩定性也急劇下降，溫度過高鍍液會迅速分解。一般以60℃左右的溫度為最合適的溫度。但從維護鍍液穩定性考慮，實際操作中多在室溫下進行。在室溫下雖然鍍速不是很快，但鍍液相對穩定，也可以獲得滿意的銅鍍層。

圖4-18 鍍液pH值與沉積速率的關系

圖4-19 鍍液溫度與化學鍍銅速率的關系

4.3.16 以甲醛為還原劑的化學鍍銅工藝是什么？

表4-9為用酒石酸鉀鈉作為絡合劑的5種典型的鍍液配方和工藝條件。用EDTA作為絡合劑時比相同條件下的酒石酸鉀鈉作為絡合劑的化學鍍銅溶液更為穩定，液溫可稍微高一些（典型配方見表4-10）。含雙絡合劑的化學鍍銅溶液工作溫度范圍寬，穩定性較高，可鍍厚銅，鍍速也較快（典型配方見表4-11）。

表4-9 用酒石酸鉀鈉作為絡合劑的5種典型的鍍液配方和工藝條件

（續）

注：1號配方比較穩定，主要用于非金屬電鍍；2號配方不夠穩定，但速率較快；3號配方由于有少量鎳鹽，提高了銅層的結合力；4號、5號配方多用于ABS塑料電鍍。

表4-10 用乙二胺四乙酸（EDTA）作為絡合劑的化學鍍銅配方 （單位：g/L）

注：1～3號配方在40～60℃下使用，由于加入了NaCN，能提高銅層光亮度和可塑性，可用于鍍厚銅（20～30mm），但需要時間較長（24～48h），鍍液的利用率高，可用于PCB孔金屬化。

表4-11 雙絡合或多絡合劑的化學鍍銅配方和工藝條件 （單位：g/L）

注：2號溶液含有穩定劑，穩定性較好，沉積速率較快；3號溶液沉積速率可達8～25μm/h，但溶液穩定性較差。

4.3.17 以次磷酸鹽和甲醛為還原劑進行化學鍍銅的鍍液性能有什么區別？

次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅體系的工藝參數范圍很大，鍍液壽命長，能自行限制鍍層，沒有有害的甲醛蒸氣，是化學鍍銅液的發展方向。但以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅層厚度一般小于1μm，沉積的銅對反應不起催化作用，因此對多層板的孔金屬化及印制板的加成法化學鍍銅，使用次磷酸鹽作為還原劑還需要加入能促進自動催化的金屬離子。以次磷酸鹽作為還原劑的化學鍍銅與以甲醛為還原劑的化學鍍銅工藝兩種鍍液性能比較如表4-12所示。

表4-12 以次磷酸鹽作為還原劑與以甲醛為還原劑的化學鍍銅鍍液性能比較

4.3.18 以次磷酸鹽為還原劑時銅離子濃度對沉積速率有什么影響？

銅離子濃度對沉積速率的影響如圖4-20所示。在一定范圍內，隨著銅離子濃度的增加，沉積速率也增加。如果銅離子濃度降低，則沉積速率也降低，析氫量增加。如果鎳離子與銅離子的摩爾濃度比小于1∶18，盡管銅離子摩爾濃度的增加，當把催化的表面被銅覆蓋后，沉積過程仍會完全停止。鎳離子與銅離子的摩爾濃度比應保持在1∶12。當檸檬酸鹽的摩爾濃度保持恒定時，銅離子摩爾濃度增加到一定程度鍍液將出現沉積，這時鍍液不穩定，沉積速率降低。

4.3.19 以次磷酸鹽為還原劑時次磷酸鈉濃度對沉積速率有什么影響？

次磷酸鈉濃度對沉積速率的影響如圖4-21所示。還原劑的濃度與銅離子濃度相比較過量很多，其比為（3～30）∶1。當比值大于15∶1時，沉積速率達到穩定值。還原劑含量過高時，會發生副反應。

圖4-20 銅離子濃度對沉積速率的影響

圖4-21 次磷酸鈉濃度對沉積速率的影響

4.3.20 以次磷酸鹽為還原劑時檸檬酸濃度對沉積速率有什么影響？

濃度增加沉積速率降低是由于檸檬酸根濃度高時游離銅離子濃度低所致。如果檸檬酸鹽濃度太低（＜0.026mo1/L），鍍液會變得不穩定而出現沉淀。檸檬酸鈉濃度對沉積速率的影響如圖4-22所示。

4.3.21 以次磷酸鹽為還原劑時硼酸對沉積速率有什么影響？

硼酸對沉積速率的影響如圖4-23所示。鍍液中無硼酸時，沉積速率很慢。當硼酸濃度超過0.025mo1/L時，它以B₅O₆（OH）₄^-的形式存在。這些離子能加速沉積反應的電子轉移，硼酸濃度大于0.5mo1/L時，沉積速率不再增加。

圖4-22 檸檬酸鈉濃度對沉積速率的影響

圖4-23 硼酸濃度對沉積速率的影響

4.3.22 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅工藝中穩定劑的作用是什么？

包含有Ni²⁺的鍍液是很不穩定的，會在24h內自發分解析出全部銅。在鍍液中加入少量（＜0.2mg/L）硫脲或2-巰基苯并噻唑就可以抑制鍍液的自發分解。但過量（＞1mg/L）的硫脲或2-巰基苯并噻唑會使沉積反應完全停止。在這樣的溶液中再添加適當數量的Ni²⁺又可使化學鍍繼續進行。因此，維持鍍液中穩定劑和鎳離子適當的數量可使鍍液既穩定，又有一定的沉積速率。各種穩定劑對沉積速率的影響如表4-13所示。

表4-13 各種穩定劑對沉積速率的影響

由表4-13可見，添加糖精、對甲苯磺酰胺、鹽酸胍對沉積速率沒有影響，這是由于它們在銅表面吸附很弱的緣故。但在用甲醛作為還原劑的化學鍍銅鍍液中，添加這些物質能提高反應速率并改變銅的微觀結構。由此可見，兩種化學鍍銅工藝的機理是不同的。添加少量硫脲和2-MBT就使沉積速率大大降低并延長反應的誘導期，這是由于含硫基因強烈地吸附在銅的表面的緣故。

4.3.23 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅中鎳離子濃度對化學鍍銅的影響有哪些？

經鈀催化的基體表面能順利地進行化學鍍銅，當沉積的銅將基體表面全部覆蓋以后，由于銅對次磷酸鹽的氧化反應無催化活性，這時化學鍍銅停止。在溶液中加入少量鎳鹽后，鎳離子被還原成金屬鎳，它對次磷酸鹽的氧化反應有很強的催化活性，使沉積反應繼續進行。鎳離子濃度對化學鍍銅速率的影響如圖4-24所示。

4.3.24 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅中沉積速率與溫度的關系是什么？

以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅中沉積速率與溫度的關系如圖4-25所示。以甲醛和次磷酸鈉為還原劑的化學鍍銅的第一步反應分別包括C—H鍵和P—H鍵的斷裂。C—H鍵和P—H的鍵長分別為0.109nm和0.144nm，鍵能分別為411.56kJ/mol和322.38kJ/mol。因此，次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅速率較高。

圖4-24 鎳離子濃度對沉積速率的影響

注：CuSO₄·5H₂O0.6mol/L，HCHO0.5mol/L，pH值=12.5，溫度25℃。

圖4-25 沉積速率與溫度的關系

4.3.25 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅中pH值對沉積速率的影響有哪些？

以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅中pH值對沉積速率的影響如圖4-26所示，pH值小于7.5時，無銅沉積。pH值為7.5～9時，開始有銅沉積。pH值增加時，副反應產生的氫氣與沉積銅的摩爾比減少，如圖4-27所示。pH值為9.5～11.4時，析氫和沉銅速率都達到最大，副反應產生的氫和沉銅數量的比值穩定。pH值大于11.5時溶液分解。氫離子也影響熱力學過程，pH值高時，檸檬酸根對銅的絡合能力增強，銅離子放電困難，但pH值高時次磷酸鹽的還原能力增強。因此存在一最佳pH值。在生產中一般將pH值控制在9～10。

圖4-26 pH值對沉積速率的影響

圖4-27 副反應產生的氫氣與沉積銅的摩爾比與pH值的關系

4.3.26 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件是什么？

以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件如表4-14所示。

表4-14 以次磷酸鹽為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件

4.3.27 以DMAB為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件是什么？

以DMAB為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件如表4-15～表4-17所示。

表4-15 以DMAB為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件（Ⅰ）

表4-16 以DMAB為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件（Ⅱ）

表4-17 以DMAB為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件（Ⅲ）

以EDTA·2Na和三乙醇胺（TEA）為絡合劑，以DMAB為還原劑的低堿性化學鍍銅液，可以取代以HCHO為還原劑的高堿性化學鍍銅液（pH值大于12）。這種鍍液既可減低對聚酰亞胺PCB基材或正性光致抗蝕劑等堿敏感材料構成的侵蝕，又可以淘汰有危害性的HCHO還原劑。

表4-16所示為以二甲氨基硼烷（DMAB）為還原劑的近中性的化學鍍Cu-Ni合金鍍液。鍍液中添加可溶性鉛化合物，提高化學鍍Cu-Ni合金鍍層中的銅含量，以便獲得90%（質量分數）以上銅的高導電性Cu-Ni合金鍍層。這些鍍液適用于耐堿性較差且要求高導電性鍍層的撓性印制板（FPC）、剛-撓性印制板（RFPC）和自動黏結紙帶（TAB）等電子部件的化學鍍。

4.3.28 以四丁基氫硼化銨為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件是什么？

以四丁基氫硼化銨為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件如表4-18所示。

表4-18 以四丁基氫硼化銨為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件

以四丁基氫硼化銨（C₄H₉）4BNH₄取代HCHO為還原劑的低堿性化學鍍銅液，鍍液穩定性良好，既不會侵蝕聚酰亞胺基材、多數正性光致抗蝕劑和陶瓷基材等PCB材料，也不會危及操作人員的身體健康。

4.3.29 以肼為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件是什么？

以肼為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件如表4-19所示。

表4-19 以肼為還原劑的化學鍍銅鍍液配方及工藝條件

以水合肼為還原劑的銅鍍液特征在于把催化過的PCB等非導體基材，浸于含有Cu²⁺鹽、Cu²⁺還原劑和Cu²⁺絡合劑等組成的低溫、低pH值鍍液中，如果沒有施加電流，則不會發生還原銅的沉積反應；如果施加電流，則會在陰極鍍件表面發生沉積銅反應。然后把沉積銅的PCB基材轉移到電鍍銅溶液中進行電鍍。由于這種低溫、低堿性鍍液不會侵蝕堿溶性阻鍍劑，因此催化過的PCB基材形成堿溶性阻鍍劑圖形后，置于含有還原劑的鍍液中，接通電源，便可同時引發化學鍍銅和電鍍銅反應。采用含有還原劑的電鍍銅工藝，淘汰了HCHO等有害物質造成的環境污染，沒有廢液排放，降低了成本。PCB孔內不會產生H₂，顯著地減低了鍍層“氫脆”現象，提高了鍍銅層的性能。