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2.3 原子發(fā)射光譜法的基本原理

2.3.1 原子發(fā)射光譜的產(chǎn)生

原子的外層電子受到激發(fā)躍遷至激發(fā)態(tài),很短時(shí)間后又從高能級(jí)激發(fā)態(tài)躍遷回低能級(jí)激發(fā)態(tài)或基態(tài),多余的能量以電磁輻射的形式發(fā)射出去,就得到了發(fā)射光譜。原子發(fā)射光譜是線性光譜。

通常情況下,原子外層價(jià)電子處于基態(tài),在受到熱能(火焰)或電能(電火花)等激發(fā)時(shí),原子獲得足夠的能量,外層電子由基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的原子是不穩(wěn)定的,在很短的時(shí)間(10-8s)內(nèi),外層電子就從高能級(jí)向較低能級(jí)或基態(tài)躍遷,多余能量的發(fā)射就得到由一系列譜線組成的發(fā)射光譜。譜線波長(zhǎng)與能量的關(guān)系為:

  (2-4)

式中,E1E2分別為高能級(jí)與低能級(jí)的能量;λ為波長(zhǎng);h為普朗克常數(shù);c為光速。原子的各個(gè)能級(jí)是不連續(xù)的(量子化的),電子的躍遷也是不連續(xù)的,這就是原子光譜是線性光譜的根本原因。

2.3.2 元素的特征譜線

周期表中每一種元素都能顯示出一系列的譜線,這些譜線對(duì)元素具有特征性和專一性,稱為元素的特征光譜,這也是元素定性的基礎(chǔ)。原子中某一外層電子由基態(tài)激發(fā)到高能級(jí)所需要的能量稱為激發(fā)電位,以eV(電子伏特)表示。原子光譜中每一條譜線的產(chǎn)生各有其相應(yīng)的激發(fā)電位,這些激發(fā)電位在元素譜線表中可以查到。由第一激發(fā)態(tài)向基態(tài)躍遷的能量最小,最易發(fā)生,強(qiáng)度也最大,稱為第一共振線,是該元素最強(qiáng)的譜線。

原子如果獲得足夠的能量(電離能),將失去一個(gè)電子產(chǎn)生電離(一次電離),一次電離的原子再失去一個(gè)電子稱為二次電離,依次類推。

離子也可能被激發(fā),當(dāng)離子由激發(fā)態(tài)躍遷回基態(tài)時(shí),產(chǎn)生離子譜線(離子發(fā)射的譜線)。由于離子和原子具有不同的能級(jí),所以離子發(fā)射的光譜與原子發(fā)射的光譜不同。每一條離子線也都有其激發(fā)電位,這些離子線激發(fā)電位大小與電離電位高低無(wú)關(guān),是離子的特征共振線。

在原子譜線表中,羅馬字“Ⅰ”表示中性原子發(fā)射的譜線,“Ⅱ”表示一次電離離子發(fā)射的譜線,“Ⅲ”表示二次電離離子發(fā)射的譜線,依次類推,例如,AlⅠ 396.15nm為原子線,Ⅱ167.08nm為一次電離離子線。

利用色散系統(tǒng)對(duì)光譜進(jìn)行線色散,可獲得按序排列的譜線譜圖。選擇元素特征光譜中的較強(qiáng)譜線(通常是第一共振線)作為分析線,依據(jù)譜線的強(qiáng)度與激發(fā)態(tài)原子數(shù)成正比而激發(fā)態(tài)原子數(shù)與樣品中對(duì)應(yīng)元素的原子總數(shù)成正比的關(guān)系就可以進(jìn)行定量分析。

2.3.3 譜線的自吸與自蝕

等離子體內(nèi)溫度和原子濃度分布不均勻,中心部位溫度高,激發(fā)態(tài)原子濃度大,邊緣部位溫度低,基態(tài)原子、低能態(tài)原子比較多。某元素的原子從中心發(fā)射一定波長(zhǎng)的電磁輻射,必須要通過(guò)邊緣到達(dá)檢測(cè)器,這樣中心原子發(fā)射的電磁輻射就可能被邊緣的同一元素的基態(tài)或低能態(tài)原子吸收,導(dǎo)致譜線中心強(qiáng)度降低的現(xiàn)象,稱為元素的自吸(self-absorption)。

從圖2-9可以看出,自吸對(duì)譜線中心處強(qiáng)度影響很大。元素濃度低時(shí),中心到邊緣區(qū)域厚度薄,一般不出現(xiàn)自吸;元素濃度增大時(shí),中心到邊緣區(qū)域厚度增大,自吸現(xiàn)象增加;當(dāng)達(dá)到一定濃度時(shí),自吸現(xiàn)象嚴(yán)重,譜線中心強(qiáng)度完全被吸收,出現(xiàn)兩條譜線,此時(shí)的自吸就稱為自蝕(self-reversal)。在譜線表中,常用r表示自吸譜線,用R表示自蝕譜線。

圖2-9 自吸與自蝕譜線輪廓圖

自吸與原子蒸氣的厚度關(guān)系十分密切。不同類型的激發(fā)源,激發(fā)溫度不一樣,原子蒸氣的厚度不同,譜線的自吸情況也不同,自吸現(xiàn)象影響譜線強(qiáng)度,定量分析時(shí)必須注意。

2.3.4 譜線強(qiáng)度及其與元素含量的關(guān)系

當(dāng)體系在一定溫度下達(dá)到熱平衡時(shí),原子在不同狀態(tài)的分布也達(dá)到平衡。玻耳茲曼(Boltzmann)用統(tǒng)計(jì)熱力學(xué)方法證明,體系處在熱力學(xué)平衡狀態(tài)時(shí),單位體積內(nèi)處于激發(fā)態(tài)的原子數(shù)目Ni與處于基態(tài)的原子數(shù)目N0應(yīng)遵守如下分布:

  (2-5)

式中,gig0分別為激發(fā)態(tài)和基態(tài)的統(tǒng)計(jì)權(quán)重;Ei為譜線的激發(fā)能(即兩能級(jí)間能量差);T為激發(fā)的熱力學(xué)溫度,K。

原子的外層電子在ij兩個(gè)能級(jí)之間躍遷發(fā)射的譜線強(qiáng)度Iij為:

Iij=NiAijijν  (2-6)

式中,Aij為兩個(gè)能級(jí)之間的躍遷概率;h為普朗克常數(shù);γij為躍遷產(chǎn)生譜線的頻率。將式(2-5)代入式(2-6)得:

  (2-7)

從式(2-7)可知,下列因素影響譜線強(qiáng)度。

①統(tǒng)計(jì)權(quán)重。譜線強(qiáng)度與統(tǒng)計(jì)權(quán)重成正比。

②激發(fā)能。譜線強(qiáng)度與激發(fā)能是負(fù)指數(shù)關(guān)系。在溫度一定時(shí),激發(fā)電位越高,處在相應(yīng)激發(fā)態(tài)的原子數(shù)目越少。

③躍遷概率。譜線強(qiáng)度與躍遷概率成正比。躍遷概率是一個(gè)原子于單位時(shí)間內(nèi)在兩個(gè)能級(jí)之間躍遷的概率,可通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算出。

④激發(fā)溫度。由式(2-7)可以看出,一方面,溫度升高,可以增加譜線的強(qiáng)度;另一方面,溫度升高,電離的原子數(shù)目也會(huì)增多,而相應(yīng)的原子數(shù)目減少,致使原子譜線強(qiáng)度減弱,而離子譜線的強(qiáng)度增大。綜合激發(fā)溫度的正反兩方面的效應(yīng),要獲得最大強(qiáng)度的譜線,應(yīng)選擇最適合的激發(fā)溫度。

⑤基態(tài)原子數(shù)。譜線強(qiáng)度與基態(tài)原子數(shù)成正比。在一定條件下,基態(tài)原子數(shù)與試樣中的該元素濃度成正比。因此,在一定的實(shí)驗(yàn)條件下,譜線強(qiáng)度與被測(cè)元素濃度成正比,這是發(fā)射光譜定量分析的依據(jù)。

對(duì)某一譜線,gi/g0、躍遷概率、激發(fā)能是恒定值。因此,當(dāng)溫度一定時(shí),該譜線強(qiáng)度I與被測(cè)元素濃度c成正比,即:

I=ac  (2-8)

式中,a為比例常數(shù)。考慮到譜線自吸時(shí),上式可表達(dá)為:

I=acb  (2-9)

式中,b為自吸系數(shù)。當(dāng)溶液濃度很小時(shí),b=1,即無(wú)自吸。式(2-8)是AES定量分析的基本關(guān)系式,稱為Schiebe-Lomakin式。

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