第四節 韓國三星電子DRAM產業發展的案例研究

韓國電子產業在全球市場具有較大的競爭優勢，并已能夠與美國、日本等電子產業創新強國展開競爭。韓國電子產業的技術遵循著技術引進、技術模仿、模仿創新直到自主創新的發展軌跡。本節通過對韓國三星公司的DRAM技術能力發展歷程的考察，進一步揭示出跨國外包在后進國企業的技術能力發展中不可或缺的作用。

一、DRAM產業的特征及其發展歷程

DRAM是動態隨機存取儲存器，已廣泛運用于個人電腦、手機等電子產品之中。2006年全球DRAM的銷售額為381.9億美元，占半導體消費總量的10%左右。DRAM的技術在20世紀60年代末就出現了，經過40多年的開發，產品的工業理論已經沒有重大突破的可能，主要的發展集中在技術工藝與新材料的運用、產品體積的縮小、存儲容量的提高以及生產成本的下降方面。盡管生產DRAM的設備投資巨大，但生產技術門檻相對較低而且可以大量生產，因此，DRAM一直是后進國在半導體產業方面追趕乃至超越發達國家的一條有效的途徑。

20世紀70年代，英特爾利用在生產單晶硅圓片工藝技術上的創新能力，率先推出了DRAM存儲器。此后，公司每三年推出新一代DRAM，到70年代中期DRAM是英特爾銷售份額最大的產品。隨著日本的進入，英特爾時代一去不復返了，到1984年英特爾正式退出了DRAM市場，日本成為該領域的主宰者。日本從70年代中期開始進入DRAM市場，1976~1979年開始實施“VLSI組合”研發計劃，大力發展DRAM技術并于1979年首先推出了62K的DRAM，因生產成本遠遠低于英特爾而獲得了市場成功。1981年日本的產量為900萬臺，而到了1982年中期猛增到6600萬臺，自此，日本超過美國稱雄世界。隨后韓國、中國臺灣先后進入DRAM領域，日本在半導體市場上的地位日漸衰微。日本的主打產品是64K的DRAM，在芯片制造中要使用近30片掩膜，而韓國公司只需20片左右。在利潤日趨下降的情況下，日本公司逐漸退出了市場，目前僅剩一家日本企業Elpida仍然生產DRAM。在2006年世界10大DRAM公司中，韓國的市場占有率為28%，占據了世界最大的市場，韓國三星穩坐了頭把交椅成為市場領導者。表2—4列出了2006年世界十大DRAM公司及其銷售收入和所占的市場份額。

表2—4 2006年世界十大DRAM公司

資料來源：轉引自邵虞：《半導體存儲器期待再創輝煌》，《電子產品世界》2007年第5期，第24頁。

二、韓國三星DRAM技術的發展路徑

韓國三星電子在20世紀60年代末才開始進入電子產業，1969年韓國三星開始與日本的三洋合資，并派了106個員工到日本學習收音機、電視機的生產技術，隨后三星又通過與日本NEC等企業合資、承接外包訂單等方式吸收國外的技術。從1982年開始，三星開始進入DRAM領域，為了獲得生產技術，三星先后向美國的TI和Motorola，日本的NEC、東芝和日立等知名企業申請64K的DRAM的生產技術許可，但遭到拒絕。但三星發現美國Micron公司正面臨嚴重的財務困境，通過技術許可方式三星從向Micron公司那里獲得了DRAM的生產技術。三星從向Micron公司進口DRAM芯片在國內裝配開始，積極通過反向工程破解美國的技術，將外部技術轉化為自己的技術。在1983年三星就成功地生產出64K的DRAM，成為繼美國、日本之后的第三個生產國，僅用了10個月就完成了技術的復制，但與國外的技術差距在4年左右。三星在推出64K的DRAM之后隨即進入256K的DRAM的開發和生產中，但是并沒有掌握其中的全部技術。三星就從反向工程開始，用6個月的時間研制出了可用芯管，具有了獨立開發256K的DRAM的技術能力，實現了從技術復制到技術改進。三星在技術能力轉變過程中，企業內部努力起到了至關重要的推動作用。從1982年開始，三星就開始在美國的硅谷和韓國的漢城組建了兩個R&D團隊，此時R&D活動的主要目的是吸收美國和日本的DRAM技術，搜集技術前沿的信息，分析產品技術和市場，逐步獲得DRAM生產的隱性知識，為實現DRAM的設計能力做準備。在64K的DRAM獲得成功之后，研發團隊就開始獨立開發全部技術，包括電路設計和工藝設計，并從美國的著名大學招聘了5名曾從事過半導體設計的韓裔科學家，招聘了300名美國工程師，同時派遣工程師到美國Micron公司接受培訓。在生產線的安裝和實施過程中，三星還向設備供應商的工程師學習。通過一系列內部努力，三星開始逐步過渡到自主創新階段。1988年三星率先宣布完成了4M的DRAM的設計，并申報了56項專利，大大縮短了與日本的距離，僅落后日本6個月。隨后三星又成功地開發出16M的DRAM。在1992年三星開發出256M的DRAM之后，三星全面超越同類企業成為該領域的領先者，相繼推出了4M、16M、64M、256M及1G的存儲器，并研制出50nm 16G產品樣本，領導世界DRAM的發展。在自主創新階段，政府和企業的R&D起到了決定性作用。1986年韓國政府將研發4M的DRAM列為國家項目，1986~1989年的三年中R&D總支出高達1.1億美元，其中政府承擔了57%。1992年三星的研發支出達到6.88億美元，而到2004年三星研發的總支出高達46億美元（不僅僅是用于DRAM的研制），占企業銷售收入的8.3%。三星不僅加大R&D投入還通過組建研發聯盟、并購企業等方式提升自主創新能力。三星與東芝、NEC等知名企業組成了研發聯盟，通過共同研發獲取互補性技術。1994年三星通過與ISD合作獲得了ISD的半導體聲音信號存儲和再生產技術，三星的芯片存儲能力迅速提高了15倍。1995年三星收購了Integrated Telecom公司，獲得了ATM交換器的核心技術和半導體芯片技術。表2—5總結了韓國三星公司DRAM技術能力的變化過程。

表2—5 韓國三星DRAM技術能力的變化過程

資料來源：江積海：《后發企業動態能力演化路徑及其機制研究——韓國三星電子DRAM產業的案例研究》，《管理評論》2005年第9期，38~42頁，由作者經過整理得出。

從韓國三星的DRAM技術能力發展的歷程來看，后進國的企業技術能力是一個累積性、漸進發展的過程。在技術引進和技術復制階段，企業依賴于外部技術的獲取，而在技術改進和自主創新階段，企業內部努力起到了決定性的作用，這種發展路徑對中國企業的技術能力發展有著重要的借鑒意義。