碳化硅功率器件:特性、測(cè)試和應(yīng)用技術(shù)
本書(shū)介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測(cè)試方法及應(yīng)用技術(shù),概括了近年學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的最新研究成果。本書(shū)共分為9章:功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ),SiCMOSFET參數(shù)的解讀、測(cè)試及應(yīng)用,雙脈沖測(cè)試技術(shù),SiC器件與Si器件特性對(duì)比,高di/dt的影響與應(yīng)對(duì)——關(guān)斷電壓過(guò)沖,高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——crosstalk,高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——共模電流,共源極電感的影響與應(yīng)對(duì),以及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
·11.3萬(wàn)字