1.3 國際集成電路發(fā)展趨勢(shì)

根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖（ITRS），國際集成電路技術(shù)大致有3個(gè)主要趨勢(shì)：

1）延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)按比例縮小，英特爾CMOS技術(shù)工業(yè)節(jié)點(diǎn)2013年引入14nm，目前已達(dá)10nm工業(yè)節(jié)點(diǎn)，未來正在部署7nm，臺(tái)積電最高端的CMOS技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)已達(dá)到14nm，預(yù)計(jì)2015年將到達(dá)10nm。

2）功能集成，稱為拓展摩爾定律，即在單個(gè)芯片/封裝/模塊上更多地集成包括RF、功率控制、無源元件等功能單元。

3）發(fā)展新興材料和器件，預(yù)計(jì)到2019年，可研究出超過CMOS器件性能的新器件，可繼續(xù)提高CMOS工藝的能力。