1.3 半導體器件產品手冊查閱

1.3.1 半導體器件型號命名方法

我國半導體器件的型號是按照它們的極性、材料、類型來命名的。根據國家標準GB249—74，一般半導體器件的型號的命名由五部分組成。

說明：場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN管、激光器件的型號命名只有三、四、五部分。

我國半導體器件型號各組成部分的符號及含義，如表1.3所示。

1.3.2 常用半導體二極管、三極管主要參數查閱

常用半導體二極管、三極管主要參數可從半導體元器件產品手冊上查閱，表1.4列出了整流二極管（部分型號）的主要參數。表1.5列出了低頻大功率管（部分型號）的主要參數。

例如，已知流過二極管的正向平均電流為20mA，反向電流小于20μA，其承受的最大反向電壓為40V，試選擇其合適的型號。

查表1.4，選用2CZ50B，其最大整流電流為30mA，反向電流小于5μA，最高反向電壓為50V。

例如，已知三極管的最大管耗為8W，集電極最大電流為2A，集射極最高反向電壓為15V，集-基極反向飽和電流小于0.4mA，共發射極電流放大系數為50，試選擇其合適的型號。

查表1.5，選用3AD50A，其集電極最大耗散功率10W，集電極最大允許電流3A，反向擊穿電壓大于18V，集-基極反向飽和電流小于0.3mA，共發射極電流放大系數在20～140之間。

在實際使用中，我們可以根據需要來查閱半導體器件產品手冊中的上述有關參數，選擇滿足需要的半導體器件的型號。