1.4 功率整流管

當(dāng)電源的工作電壓相對(duì)較小（<100V）時(shí)，硅單極型器件具有較好的性能。當(dāng)電路工作電壓相對(duì)較大（>100V）時(shí)，硅雙極型器件具有更好的特性。寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（例如碳化硅）能將單極型器件的工作電壓擴(kuò)大到5000V以上。在現(xiàn)代電源電路中，通常使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)節(jié)流向負(fù)載的功率流，同時(shí)使用功率整流器來(lái)控制電流的方向。隨著高性能功率開(kāi)關(guān)的出現(xiàn)（如功率MOSFET和IGBT），功率二極管的性能成為限制功率電路的主要因素。

傳統(tǒng)的單極型功率二極管為肖特基結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的雙極型功率二極管為PiN結(jié)構(gòu)。為了與高性能功率開(kāi)關(guān)器件相匹配，新型功率二極管的結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)，下面分別進(jìn)行介紹。