1.5.2 雙極型功率晶體管

雙極型功率晶體管雖然存在二次擊穿、安全工作區受各項參數影響而變化大、熱容量小、過電流能力弱等缺點，學術界也一直有雙極型功率晶體管將被功率MOS器件和IGBT所取代的觀點，但由于其成熟的加工工藝、極高的成品率和較低的成本，使雙極型功率晶體管仍然在功率開關器件里占有一席之地。