1.5 功率半導體開關器件

功率半導體開關器件從結構上來分可分為晶閘管類和功率晶體管類，功率晶體管包括GTR、功率MOSFET和IGBT。從工作機理上分，晶閘管類和GTR屬于雙極型器件，功率MOSFET屬于單極型器件，IGBT為單雙極復合型器件。一般來說，阻斷電壓小于100V（隨著超級結功率MOSFET的出現，這個極限被打破），開關速度大于100kHz時，選擇功率MOSFET，當電壓超過300V，IGBT更有優勢，因為它的通態壓降更低，晶閘管類器件適合有更高阻斷電壓的場合。