1.3.1　國外相關現狀

石墨烯研究快速發展源于2004年，英國A.K.Geim等人確切驗證了石墨烯的穩定存在。后續包括韓國成均館大學［40，41］的許多團隊一直探索改進的制備工藝。在電磁學科領域內，代表性的團隊及相關研究成果有:

美國IBM公司T.J.Watson研究中心Yuming Lin等人陸續實現了26GHz［42］、100GHz晶圓級場效應管樣品［43］及超快光電探測器［44］，在光通信領域也有建樹［45］，研究了石墨烯與電磁波的作用機理［46］、石墨烯的紅外光頻譜特征［47］、石墨烯等離激元損耗特性［48］，并設計了對應的石墨烯光電探測器［49，50］可調控等離激元器件［51］。美國加州大學圣地亞哥分校Zhe Fei、D.N.Basov等人通過紅外干涉條紋間接驗證了石墨烯能夠激發表面等離激元（Surface Plasmons）［52］，并基于石墨烯等離激元做了許多基礎研究與應用器件，如發現了石墨烯可用于雙曲超材料［53］、研究了石墨烯納米條帶的邊緣模式［54］、設計了基于石墨烯的超快光開關［55］。美國加州大學伯克利分校的科研人員設計了基于單層［56］、雙層［57］石墨烯與硅波導混合的光電調制器，具有與現有CMOS工藝兼容的特點，并在有源可調控超材料方面開展了一些研究［58］。美國加州大學洛杉磯分校Liu Yuan等人也利用石墨烯實現了光電探測［59］、超級電容［60］等應用。美國萊斯大學Weilu Gao等人在石墨烯表面等離激元的激發與控制［61，62］、基于石墨烯的太赫茲調制器［63］、石墨烯覆蓋硅波導的光通信調制器［64］方面開展了相關研究工作。美國Ames實驗室Philippe Tassin等人討論了金屬和石墨烯對于設計超材料、等離激元器件時特性的差別［65］，以及石墨烯在太赫茲器件的應用前景［66］。美國哈佛大學Yu Yao等人在基于石墨烯光電探測［67］、可調控光學天線［68］方面開展了相關工作。美國密歇根大學Lee Eunghyun等人研究了石墨烯數字式光電調制器［69］、光電探測［70，71］、太赫茲光源［72］、飽和吸收特性［73］。美國賓夕法尼亞大學Nader Engheta等人在基于石墨烯的表面等離激元［74］與變換光學［75，76］等領域有深入研究。美國圣母大學的科研人員在石墨烯的光電調制方面獲得了許多成果［77-81］，在此領域的研究學者還包括英國艾克賽特大學的Freddie Withers［82］、意大利高等師范學院的L.Vicarelli［83］等。英國曼徹斯特大學Xianjun Huang等人在石墨烯電磁隱身與防護材料方面開展了研究［84-86］。英國相關學者在石墨烯可調控圓極化選擇表面［87］，石墨烯的微波、毫米波吸波特性［88，89］及近場特性［90］方面有相關研究。瑞士洛桑聯邦理工學院的Gomez-Diaz Juan Sebastian等人在石墨烯電磁特性方面也開展了廣泛研究，包括石墨烯在微波、毫米波頻段的阻抗特性［91］，基于石墨烯的太赫茲器件（天線［92-96］、濾波器［97］、隔離器［98］、超材料［99，100］）與紅外（開關［101］）器件，以及石墨烯的調控方法［102］、等離激元激發［103］、傳輸特性［104，105］、非局域電磁響應特性［106］、等效電路模型［107-109］與數值方法［110］。奧地利維也納理工大學ThomasMueller、Alexander Urich等人在基于石墨烯的光電探測方面開展了深入研究［111-113］。西班牙卡塔赫納理工大學D.Correas-Serrano等人設計了石墨烯太赫茲可調控低通濾波器［114］。新加坡國立大學Libo Gao等人在石墨烯轉移技術［115］、氧化石墨烯微結構加工［116］方面提出了一些新的技術手段，并基于石墨烯設計了性能優異的光通信器件，如偏振器［117］、超快激光器［118］。新加坡南洋理工大學Qijie Wang在石墨烯功能器件方面開展的工作有光電探測［119］、激光光源［120，121］、波導（調制與衰減功能）［122］、布拉格反射器［123］等。