1.3.3　平衡帶通濾波器版圖設(shè)計(jì)

（1）繪制MIM電容。參照本章1.3.2節(jié)中的內(nèi)容，分別繪制出電容值為0.56pF和1.00pF的MIM電容。

（2）新建版圖并復(fù)制相應(yīng)元件版圖。在“Balanced_Bandpass_Filter_wrk”工作空間主界面，執(zhí)行菜單命令【File】→【New】→【Layout…】，在新建版圖對(duì)話框中修改單元（Cell）的名稱為“balanced bandpass filter”，單擊【Create Layout】按鈕，彈出版圖繪制窗口。依次按快捷鍵“Ctrl+C”和“Ctrl+V”，將繪制的MIM電容元件版圖復(fù)制到此版圖繪制窗口中，由圖1.28所示的平衡帶通濾波器仿真電路模型可知，C1=0.56pF的電容有2個(gè)，C2=0.89pF和C3=1.00pF的電容各有4個(gè)，故須將0.56pF的MIM電容復(fù)制2次，0.89pF的MIM電容和1.00pF的MIM電容各復(fù)制4次。

（3）繪制電感。執(zhí)行菜單命令【Insert】→【Path…】（或者單擊工具欄中的【Insert Path】圖標(biāo)），彈出如圖1.73所示的插入路徑對(duì)話框。在【Layer】欄中選擇“bond:drawing”，將【W(wǎng)idth】欄設(shè)置為15μm，按圖1.74所示（單位：μm）在右側(cè)繪圖區(qū)繪制電感的底層金屬，其總長(zhǎng)為607μm，總寬為258μm，右端兩段長(zhǎng)均為70μm；執(zhí)行菜單命令【Edit】→【Copy/Paste】→【Copy To Layer…】，在彈出的圖層復(fù)制窗口中選擇“text:drawing”，單擊【Apply】按鈕，在原位置復(fù)制一個(gè)text層；類似地，在原位置再?gòu)?fù)制leads層、symbol層和packages層各一個(gè)，全部復(fù)制完成后，單擊【Cancel】按鈕關(guān)閉此窗口；然后對(duì)各層進(jìn)行縮進(jìn)，將text層選中，執(zhí)行菜單命令【Edit】→【Scale/Oversize】→【Oversize…】，因text層比bond層相對(duì)縮進(jìn)2μm，故在彈出的縮進(jìn)對(duì)話框的【Oversize(+)/Undersize(-)】欄中輸入-2，單擊【Apply】按鈕完成縮進(jìn)；類似地，使symbol層和packages層均比bond層相對(duì)縮進(jìn)2μm。至此，電感版圖繪制完成。注意：后期芯片封裝會(huì)引入金屬引線的等效電感L2=0.3nH和L3=0.6nH，不需要再在版圖中繪制電感L2和L3。

圖1.73　插入路徑對(duì)話框

圖1.74　電感底層

（4）繪制焊盤。為方便后期的封裝和測(cè)試，需要在I/O端口和接地處加入焊盤，這里固定焊盤尺寸為100μm×100μm。焊盤的繪制與電感類似，不同的是：焊盤各層金屬的形狀為矩形，需要執(zhí)行菜單命令【Insert】→【Shape】→【Rectangle】插入矩形，具體操作可參照步驟（3）中的內(nèi)容，此處不再贅述。

（5）版圖布局和元件連接。綜合電路尺寸和版圖美觀等各方面因素，對(duì)版圖進(jìn)行整體布局調(diào)整，并依照?qǐng)D1.28所示的仿真電路模型用微帶線進(jìn)行元件的連接，微帶線的繪制方法與焊盤相同，具體操作可參照步驟（3）和（4）中的內(nèi)容，此處不再贅述。考慮后期芯片封裝引入的金屬引線對(duì)平衡帶通濾波器性能的影響，經(jīng)過多次版圖參數(shù)優(yōu)化，得到最終版圖，如圖1.75所示（單位：μm）。

圖1.75　最終版圖