1.3.1　層信息設置

所有電路元件均構建在相對介電常數為12.85，損耗角正切為0.006，厚度為200μm的砷化鎵（GaAs）襯底上；兩層5μm厚銅層和中間一層0.2μm厚的氮化硅（Si3N4）層用來構建金屬-絕緣體-金屬（Metal-Insulator-Metal，MIM）電容。

繪制版圖前，需要根據所采用的TFIPD工藝在版圖中進行層信息設置。

1. 新建版圖

返回“Balanced_Bandpass_Filter_wrk”工作空間主界面，執行菜單命令【File】→【New】→【Layout…】，打開如圖1.49所示的新建版圖對話框，將單元（Cell）名稱修改為“MIM capacitor”，單擊【Create Layout】按鈕，彈出版圖精度設置對話框，如圖1.50所示。在此選擇“Standard ADS Layers, 0.001 micron layout resolution”，即精度為0.001μm（注意：本章中此類單位統一為μm），單擊【Finish】按鈕，彈出版圖繪制窗口，如圖1.51所示。

2. 新建板材并添加介質和導體

（1）新建板材。在版圖繪制窗口，執行菜單命令【EM】→【Substrate…】，在彈出的信息提示對話框中單擊【OK】按鈕，彈出如圖1.52所示的新建襯底對話框，在此可以對名稱（File name）和層信息設置模板（Template）進行相應修改。

此處文件名稱保持默認。因本次TFIPD技術采用砷化鎵（GaAs）襯底，所以在【Template】欄中選擇【100umGaAs】，單擊【Create Substrate】按鈕，彈出層信息設置窗口。執行菜單命令【View】→【View All】，此時的層信息設置窗口如圖1.53所示。

（2）添加導體。在層信息設置窗口執行菜單命令【Technology】→【Material Definitions…】，打開如圖1.54所示的材料定義窗口，選擇【Conductors】選項卡，按照圖1.55所示定義相關導體，具體做法為：單擊圖1.55中右下角的【Add From Database…】按鈕，若在彈出的從數據庫中添加材料窗口（見圖1.56）中存在要添加的導體，則選中此導體，單擊【OK】按鈕，完成添加；若沒有要添加的導體，則單擊【Add Conductor】按鈕，添加一個導體后，修改其相關信息；此外，對于不需要的導體，可單擊圖1.55中右下角的【Remove Conductor】按鈕將其移除；全部完成后，單擊【Apply】按鈕。

（3）添加介質。選擇【Dielectrics】選項卡，按照圖1.57所示添加和修改相關介質，具體做法為：單擊圖1.57中右下角的【Add From Database…】按鈕，若在彈出的從數據庫中添加材料窗口（見圖1.58）中存在要添加的介質，則選中此介質，單擊【OK】按鈕，完成添加；若沒有要添加的介質，則單擊【Add Dielectric】按鈕，添加一個介質后，修改其相關信息；此外，對于不需要的介質，可單擊圖1.57中右下角的【Remove Dielectric】按鈕將其移除；全部完成后，單擊【OK】按鈕，關閉材料定義窗口。

3. 設置層信息

（1）選中cond層，單擊鼠標右鍵，在彈出的菜單中選擇【Unmap】，刪除該層導體（或者選中cond層，按“Delete”鍵刪除該層導體）；用同樣的方法刪除cond2層。

（2）設置介質層。選中已存在的介質層，單擊鼠標右鍵，在彈出的菜單中選擇【Insert Substrate Layer】，即可插入一個新介質層；選中要修改的介質層，可在窗口右側的【Substrate Layer】欄中修改其相關信息。

（3）設置導體層。選中要插入導體層的介質層的表面，單擊鼠標右鍵，在彈出的菜單中選擇【Map Conductor Layer】，即可插入一個新導體層；選中要修改的導體層，可在窗口右側的【Conductor Layer】欄中修改其相關信息。

（4）設置通孔。選中要插入通孔的介質層，單擊鼠標右鍵，在彈出的菜單中選擇【Map Conductor Via】，即可插入一個通孔；選中要修改的通孔，可在窗口右側的【Conductor Via】欄中修改其相關信息。

（5）層信息設置如圖1.59所示。其中：底層為Cover；GaAs層的【Thickness】為200μm；第1層SiNx層的【Thickness】為0.1μm；bond層的【Process Role】選擇“Conductor”，【Material】選擇“Copper”，【Operation】選擇“Expand the substrate”，【Position】選擇“Above interface”，【Thickness】為5μm；第2層SiNx層的【Thickness】為0.2μm；text層的【Process Role】選擇“Conductor”，【Material】選擇“Copper”，【Operation】選擇“Expand the substrate”，【Position】選擇“Above interface”，【Thickness】為0.5μm；Air_Bridge層的【Thickness】為3μm；leads層的【Process Role】選擇“Conductor”，【Material】選擇“Copper”，【Operation】選擇“Intrude the substrate”，【Position】選擇“Above interface”，【Thickness】為5μm；頂層為開放的FreeSpace層；symbol層的【Process Role】選擇“Conductor Via”，【Material】選擇“Copper”；packages層的【Process Role】選擇“Conductor Via”，【Material】選擇“Copper”。

（6）此外，還可以通過菜單命令【Technology】→【Layer Definitions…】打開【Layer Definitions】窗口，修改各層顯示的顏色、樣式等，如圖1.60所示。此處均保持默認設置。