3.5　本章小結

（1）使用升壓法即在第二步陽極氧化結束后升高電壓到120V并持續4min能成功地制備兩端開口的無襯底TiO2納米管陣列薄膜。制得的TiO2納米管陣列薄膜形狀規則，無缺陷。底部開口的TiO2納米管形狀呈現為一個被削去頂部的圓錐體，這是由于在強電場力作用下導致的F-離子運動聚集，加強了對底部TiO2的腐蝕形成。

（2）兩端開口的無襯底TiO2納米管陣列薄膜在450℃熱處理后由非晶態轉變為銳鈦礦結構，無金紅石結構出現。