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  • 單片機原理
  • 張志霞 張楠楠 王永剛 楊萍主編
  • 1304字
  • 2021-10-22 23:53:54

第七節 節電方式

MCS-51單片機中,有HMOS和CHMOS兩種工藝芯片。HMOS芯片本身運行功

耗大,不宜使用在低功耗應用系統中。但為了減少應用系統功耗,設置了掉電操作方式,即在正常運行時,單片機片內的RAM由主電源VCC供電,當RST/VPD引腳端的電壓超

過VCC(掉電)時,內部RAM將改為RST/VPD端的電源供電。若RST/VPD接有備用

電源,則當VCC掉電時,此備用電源可維持內部RAM中數據不丟失。當電源VCC恢復供電時,只要VPD上的電壓保持足夠長的時間,待VCC完成加電復位操作后,單片機系統就可重新開始正常運行。

CHMOS型單片機運行時耗電省,而且還提供兩種節電工作方式——待機方式和掉電方式,以進一步降低功耗,它們特別適用于電源功耗要求很低的應用場合,這類應用系統往往是直流供電或停電時依靠備用電源供電,以維持系統的持續工作。待機方式和掉電方式的內部控制電路如圖2-25所示。

圖2-25 待機和掉電方式控制電路

CHMOS型單片機的工作電源和后備電源加在同一個引腳VCC,正常工作時電流為11~20mA,待機狀態時為1.7~5mA,掉電狀態時為5~50μA。在待機方式中,振蕩器保持工作,時鐘脈沖繼續輸出到中斷、串行口、定時器等功能部件,使它們繼續工作,但時鐘脈沖不再送到CPU,因而CPU停止工作。在掉電方式中,振蕩器工作停止,單片機內部所有的功能部件停止工作。

CHMOS型單片機的節電工作方式是由特殊功能寄存器PCON控制的,PCON的格式如下:

SMOD

GF1

GF0

PD

IDL

SMOD:串行口波特率倍率控制位。

GF1、GF0:通用標志位。

PD:掉電方式控制位。置“1”后使器件進入掉電方式。IDL:待機方式控制位。置“1”后使器件進入待機方式。

PCON.4~PCON.6為保留位,對于HMOS型單片機僅SMOD位有效。當IDL和

PD同時置“1”時,則器件先進入掉電方式。

一、待機方式

CPU執行一條置“1”PCON.0(IDL)的指令,就使它進入待機方式狀態,該指令是CPU執行的最后一條指令,這條指令執行完以后CPU停止工作。進入待機方式以后,中斷、串行口和定時器繼續工作。CPU現場(棧指針SP、程序計數器PC、程序狀態字PSW、累加器ACC等)、內部RAM和其他特殊功能寄存器內容維持不變,引腳保持進入待機方式時的狀態,ALE和PSEN保持邏輯高電平。

進入待機方式以后,有兩種方法使器件退出待機方式:

(1)中斷退出。由于在待機工作方式下,中斷系統仍可工作。因此,任何允許中斷請求變為有效時,均使硬件清“0”PCON.0(IDL),中止待機方式,CPU響應中斷,執行中斷服務程序,中斷處理完以后,從激活待機方式指令的下一條指令開始繼續執行程序。

(2)硬件復位退出。因為待機方式中振蕩器在工作,所以僅需兩個機器周期便完成復位。應用時需注意,激活待機方式的下一條指令不應是對口的操作指令和對外部RAM的寫指令,以防止硬件復位過程中對外部RAM的誤操作。

二、掉電方式

CPU執行一條置位PCON.1(PD)的指令,就使器件進入掉電方式,該指令是CPU執行的最后一條指令,執行完該指令后,便進入掉電方式,內部所有的功能部件都停止工作。在掉電方式期間,內部RAM和寄存器的內容維持不變,I/O引腳狀態和相關的特殊功能寄存器的內容相對應。ALE和PSEN為邏輯低電平。

退出掉電方式的唯一方法是硬件復位。復位以后特殊功能寄存器的內容被初始化,但RAM單元的內容仍保持不變。

在掉電方式期間,VCC電源可以降至2V,但應注意只有當VCC恢復正常值(5V)并經過一段時間后才可以使器件退出掉電方式。

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