- GB 51209-2016 發光二極管工廠設計規范
- 工業和信息化部電子工業標準化研究院電子工程標準定額站主編
- 265字
- 2021-04-21 16:47:01
2 術 語
2.0.1 發光二極管 light emitting diode(LED)
一種能夠將電能轉化為可見光的固態半導體器件。
2.0.2 外延 epitaxy
在單晶襯底(基片)上生長一層或多層有一定要求的、與襯底晶向相同或相似的單晶層的生長技術。
2.0.3 金屬有機化合物化學氣相沉積 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)
以Ⅲ族、Ⅱ族元素的金屬有機化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長原材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其多元薄層單晶材料的工藝過程。
2.0.4 空間管理 space management
為有效利用空間、縮短工作流程,對大到整個廠區的建筑物布局、地下管線規劃,小到一棟建筑物內部各個專業間的配置協調而進行的設計。
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